CsFAMA三元陽離子鈣鈦礦薄膜載流子復(fù)合過程研究
發(fā)布時(shí)間:2021-02-27 23:50
在對(duì)太陽能電池的不斷研究中發(fā)現(xiàn)鈣鈦礦太陽能電池在轉(zhuǎn)換效率上與其它太陽能電池相比具有明顯優(yōu)勢(shì)。同時(shí)鈣鈦礦太陽能電池制作工藝相對(duì)簡單,特性優(yōu)異,在光伏領(lǐng)域越來越受到人們的青睞。在這一背景下,進(jìn)一步了解鈣鈦礦材料的光電特性,對(duì)繼續(xù)提升鈣鈦礦太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率以及在鈣鈦礦材料的應(yīng)用方面均具有非常重要的價(jià)值。本文以CsFAMA三元陽離子鈣鈦礦薄膜為研究對(duì)象,以熒光光譜技術(shù)和微波光電導(dǎo)技術(shù)為主要測量手段,對(duì)其發(fā)光過程,微波光電導(dǎo)響應(yīng)等性質(zhì)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。獲得了CsFAMA三元陽離子鈣鈦礦薄膜載流子復(fù)合過程的相關(guān)信息。主要研究內(nèi)容分為兩部分:一、采用穩(wěn)態(tài)熒光(PL)光譜技術(shù)以及時(shí)間分辨光致發(fā)光(TRPL)光譜技術(shù)對(duì)不同熱力學(xué)溫度和不同激發(fā)光強(qiáng)下的CsFAMA三元陽離子鈣鈦礦薄膜光致發(fā)光過程進(jìn)行研究。通過PL光譜得到室溫下CsFAMA鈣鈦礦薄膜發(fā)光峰位在1.6 eV左右,結(jié)合通過透射光譜得到的帶隙1.61 eV,可知發(fā)光峰位較薄膜帶隙略小,證實(shí)存在帶尾態(tài)發(fā)光過程。在變溫實(shí)驗(yàn)中將熱力學(xué)溫度由15 K逐步增加至295 K(以10K為一個(gè)間隔進(jìn)行光譜數(shù)據(jù)采集)。結(jié)果表明隨著熱力學(xué)溫度升高光譜中心波長出現(xiàn)藍(lán)...
【文章來源】:河北大學(xué)河北省
【文章頁數(shù)】:57 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
鈣鈦礦材料結(jié)構(gòu)示意圖
第二章激發(fā)態(tài)載流子弛豫動(dòng)力學(xué)的理論基礎(chǔ)5第二章激發(fā)態(tài)載流子弛豫動(dòng)力學(xué)的理論基礎(chǔ)2.1半導(dǎo)體中的瞬態(tài)物理過程在不同的時(shí)間尺度下,半導(dǎo)體中載流子可能發(fā)生的物理過程不同,這些不同的物理過程綜合決定了半導(dǎo)體器件的工作狀態(tài)和性質(zhì)。半導(dǎo)體中的電子受到激發(fā)會(huì)發(fā)生弛豫,弛豫過程中有多個(gè)瞬間狀態(tài)。對(duì)這些瞬間狀態(tài)進(jìn)行研究,能深一步了解半導(dǎo)體光電器件載流子弛豫過程,有助于在器件效率和應(yīng)用方面提供一定理論依據(jù)。當(dāng)一束脈沖光作用在半導(dǎo)體上時(shí),會(huì)發(fā)生吸收、反射和透射現(xiàn)象。當(dāng)脈沖光光子的能量比半導(dǎo)體禁帶寬度大時(shí),電子會(huì)吸收光子能量,從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶,同時(shí)在價(jià)帶中留下空穴,形成電子-空穴對(duì)[36]。這些處于非平衡狀態(tài)的載流子在經(jīng)過一段時(shí)間和空間演化后會(huì)重新恢復(fù)到平衡狀態(tài)。光生載流子復(fù)合過程包括載流子-載流子散射,載流子-聲子散射,輻射復(fù)合,俄歇復(fù)合,自旋弛豫,熱擴(kuò)散等,如圖2-1所示。其中,電子和空穴輻射時(shí)會(huì)釋放一定的能量,能量以光子的形式放出的復(fù)合稱為輻射復(fù)合。輻射復(fù)合一般發(fā)生在百十飛秒到微秒量級(jí)。俄歇復(fù)合是電子與空穴復(fù)合時(shí)通過碰撞把能量傳遞給另一個(gè)電子和空穴,使其發(fā)生躍遷的過程[37],該復(fù)合過程是多載流子狀態(tài)下的主要非輻射衰變途徑[38]。俄歇復(fù)合更多的是在窄禁帶和加熱的材料中產(chǎn)生,是影響半導(dǎo)體發(fā)光效率的主要原因,一般發(fā)生在幾皮秒至幾納秒之間。載流子-載流子散射和載流子-聲子散射一般發(fā)生在百飛秒的時(shí)間內(nèi)[39]。而半導(dǎo)體中的自旋弛豫十分復(fù)雜,需要考慮激子的影響。并且除了溫度和雜質(zhì)濃度,自旋弛豫后還對(duì)電場磁場等極為敏感。這些不同的物理過程發(fā)生在飛秒到毫秒之間,其中有些過程可能會(huì)同時(shí)發(fā)生。圖2-1不同載流子動(dòng)力學(xué)過程發(fā)生的時(shí)間尺度[39]
第二章激發(fā)態(tài)載流子弛豫動(dòng)力學(xué)的理論基礎(chǔ)7圖2-2(a)電子-空穴對(duì)的直接躍遷復(fù)合示意圖(b)電子-空穴對(duì)的間接躍遷復(fù)合示意圖(1)帶間的直接躍遷復(fù)合一般發(fā)生在直接帶隙半導(dǎo)體內(nèi),對(duì)于直接帶隙半導(dǎo)體,其導(dǎo)帶最小值和價(jià)帶最大值均位于布里淵區(qū)的中心。導(dǎo)帶電子與價(jià)帶空穴復(fù)合滿足動(dòng)量守恒,形成直接躍遷[44]。這種直接帶隙的帶間復(fù)合壽命很短,一般為10-8-10-9s。其發(fā)射光譜在靠近禁帶寬度能量的狹窄范圍內(nèi)。(2)帶間的間接躍遷復(fù)合間接帶隙半導(dǎo)體的導(dǎo)帶極小值和價(jià)帶的極大值的位置在布里淵區(qū)空間是不一樣的,因此這種躍遷為非豎直躍遷,要滿足動(dòng)量守恒就需要聲子的參與,從而形成間接躍遷。一般帶間復(fù)合發(fā)光發(fā)出的光子能量大于帶隙,帶間躍遷發(fā)光強(qiáng)度為:Sbulk={A√w-Egexp(-w-EgkBT),w≥Eg0,其余(2.1)式中Sbulk為發(fā)光強(qiáng)度,w為光子能量,Eg為禁帶寬度,T為等效溫度,kB為波爾曼常量,A為比例系數(shù)。2、激子復(fù)合激子是指電子和空穴由于庫侖作用結(jié)合在一起的呈電中性的粒子[45],激子分為自由激子和束縛激子。(1)自由激子復(fù)合在本征半導(dǎo)體內(nèi)一般存在的為自由激子,自由激子可以在晶體中作為一個(gè)整體運(yùn)動(dòng),但不傳輸電荷。在直接帶隙半導(dǎo)體中,自由激子復(fù)合滿足動(dòng)量守恒,發(fā)射的光子能量[46]為:
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]不同濕度環(huán)境下CH3NH3PbI3薄膜的退化過程[J]. 高曉赫,馬曉燕,谷雨,趙明明,張瑋,黨偉,袁小先. 河北大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2019(04)
[2]含銫鹵化鈣鈦礦的研究進(jìn)展[J]. 王波,李金凱,王文志,劉斌,劉宗明. 中國粉體技術(shù). 2019(05)
[3]鈣鈦礦太陽能電池研究進(jìn)展[J]. 白宇冰,王秋瑩,呂瑞濤,朱宏偉,康飛宇. 科學(xué)通報(bào). 2016(Z1)
[4]微波光電導(dǎo)衰減法測量N型4H-SiC少數(shù)載流子壽命[J]. 高冬美,陸綺榮,韋艷冰,黃彬. 激光技術(shù). 2011(05)
[5]半導(dǎo)體物理效應(yīng)與光電子高技術(shù)產(chǎn)業(yè)[J]. 王啟明. 物理. 2002(07)
[6]熒光衰減曲線的一種多指數(shù)擬合方法[J]. 林久令,董志山,張秀峰,駱永石,王遵立,孫鐵錚,林海,劉行仁. 發(fā)光學(xué)報(bào). 2002(01)
博士論文
[1]基于CH3NH3PbI3(Cl)的鈣鈦礦太陽能電池的光伏過程研究[D]. 魯凱.華中科技大學(xué) 2018
[2]鈣鈦礦太陽電池的高可重現(xiàn)性與大面積制備技術(shù)研究[D]. 張志榮.華北電力大學(xué)(北京) 2017
[3]用于有機(jī)太陽能電池的共軛聚合物設(shè)計(jì)合成與器件研究[D]. 俞江升.南京理工大學(xué) 2017
[4]鈣鈦礦半導(dǎo)體中的瞬態(tài)物理過程研究[D]. 陳奇.南京大學(xué) 2016
[5]低維MoS2的制備及光學(xué)特性研究[D]. 李雪.長春理工大學(xué) 2016
[6]ZnTe薄膜和GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)的制備及光學(xué)特性[D]. 黃樹來.山東大學(xué) 2014
[7]ZnO基稀磁半導(dǎo)體的制備與性質(zhì)研究[D]. 夏川茴.重慶大學(xué) 2010
碩士論文
[1]甲胺基鉛鹵鈣鈦礦晶體的生長與性能研究[D]. 周怡安.山東大學(xué) 2018
[2]光浴對(duì)CH3NH3PbI3薄膜載流子復(fù)合過程的作用機(jī)理研究[D]. 白晶晶.河北大學(xué) 2016
[3]混合溶劑退火誘導(dǎo)鈣鈦礦結(jié)晶及其在鈣鈦礦太陽能電池中的應(yīng)用與研究[D]. 余浩.蘇州大學(xué) 2016
[4]β-In2S3的熱解法制備及其光譜性質(zhì)研究[D]. 郭淑云.大連海事大學(xué) 2012
[5]新型寬禁帶半導(dǎo)體MgxZn1-xO薄膜光學(xué)性質(zhì)的研究[D]. 趙懿琨.山東大學(xué) 2006
本文編號(hào):3054984
【文章來源】:河北大學(xué)河北省
【文章頁數(shù)】:57 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
鈣鈦礦材料結(jié)構(gòu)示意圖
第二章激發(fā)態(tài)載流子弛豫動(dòng)力學(xué)的理論基礎(chǔ)5第二章激發(fā)態(tài)載流子弛豫動(dòng)力學(xué)的理論基礎(chǔ)2.1半導(dǎo)體中的瞬態(tài)物理過程在不同的時(shí)間尺度下,半導(dǎo)體中載流子可能發(fā)生的物理過程不同,這些不同的物理過程綜合決定了半導(dǎo)體器件的工作狀態(tài)和性質(zhì)。半導(dǎo)體中的電子受到激發(fā)會(huì)發(fā)生弛豫,弛豫過程中有多個(gè)瞬間狀態(tài)。對(duì)這些瞬間狀態(tài)進(jìn)行研究,能深一步了解半導(dǎo)體光電器件載流子弛豫過程,有助于在器件效率和應(yīng)用方面提供一定理論依據(jù)。當(dāng)一束脈沖光作用在半導(dǎo)體上時(shí),會(huì)發(fā)生吸收、反射和透射現(xiàn)象。當(dāng)脈沖光光子的能量比半導(dǎo)體禁帶寬度大時(shí),電子會(huì)吸收光子能量,從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶,同時(shí)在價(jià)帶中留下空穴,形成電子-空穴對(duì)[36]。這些處于非平衡狀態(tài)的載流子在經(jīng)過一段時(shí)間和空間演化后會(huì)重新恢復(fù)到平衡狀態(tài)。光生載流子復(fù)合過程包括載流子-載流子散射,載流子-聲子散射,輻射復(fù)合,俄歇復(fù)合,自旋弛豫,熱擴(kuò)散等,如圖2-1所示。其中,電子和空穴輻射時(shí)會(huì)釋放一定的能量,能量以光子的形式放出的復(fù)合稱為輻射復(fù)合。輻射復(fù)合一般發(fā)生在百十飛秒到微秒量級(jí)。俄歇復(fù)合是電子與空穴復(fù)合時(shí)通過碰撞把能量傳遞給另一個(gè)電子和空穴,使其發(fā)生躍遷的過程[37],該復(fù)合過程是多載流子狀態(tài)下的主要非輻射衰變途徑[38]。俄歇復(fù)合更多的是在窄禁帶和加熱的材料中產(chǎn)生,是影響半導(dǎo)體發(fā)光效率的主要原因,一般發(fā)生在幾皮秒至幾納秒之間。載流子-載流子散射和載流子-聲子散射一般發(fā)生在百飛秒的時(shí)間內(nèi)[39]。而半導(dǎo)體中的自旋弛豫十分復(fù)雜,需要考慮激子的影響。并且除了溫度和雜質(zhì)濃度,自旋弛豫后還對(duì)電場磁場等極為敏感。這些不同的物理過程發(fā)生在飛秒到毫秒之間,其中有些過程可能會(huì)同時(shí)發(fā)生。圖2-1不同載流子動(dòng)力學(xué)過程發(fā)生的時(shí)間尺度[39]
第二章激發(fā)態(tài)載流子弛豫動(dòng)力學(xué)的理論基礎(chǔ)7圖2-2(a)電子-空穴對(duì)的直接躍遷復(fù)合示意圖(b)電子-空穴對(duì)的間接躍遷復(fù)合示意圖(1)帶間的直接躍遷復(fù)合一般發(fā)生在直接帶隙半導(dǎo)體內(nèi),對(duì)于直接帶隙半導(dǎo)體,其導(dǎo)帶最小值和價(jià)帶最大值均位于布里淵區(qū)的中心。導(dǎo)帶電子與價(jià)帶空穴復(fù)合滿足動(dòng)量守恒,形成直接躍遷[44]。這種直接帶隙的帶間復(fù)合壽命很短,一般為10-8-10-9s。其發(fā)射光譜在靠近禁帶寬度能量的狹窄范圍內(nèi)。(2)帶間的間接躍遷復(fù)合間接帶隙半導(dǎo)體的導(dǎo)帶極小值和價(jià)帶的極大值的位置在布里淵區(qū)空間是不一樣的,因此這種躍遷為非豎直躍遷,要滿足動(dòng)量守恒就需要聲子的參與,從而形成間接躍遷。一般帶間復(fù)合發(fā)光發(fā)出的光子能量大于帶隙,帶間躍遷發(fā)光強(qiáng)度為:Sbulk={A√w-Egexp(-w-EgkBT),w≥Eg0,其余(2.1)式中Sbulk為發(fā)光強(qiáng)度,w為光子能量,Eg為禁帶寬度,T為等效溫度,kB為波爾曼常量,A為比例系數(shù)。2、激子復(fù)合激子是指電子和空穴由于庫侖作用結(jié)合在一起的呈電中性的粒子[45],激子分為自由激子和束縛激子。(1)自由激子復(fù)合在本征半導(dǎo)體內(nèi)一般存在的為自由激子,自由激子可以在晶體中作為一個(gè)整體運(yùn)動(dòng),但不傳輸電荷。在直接帶隙半導(dǎo)體中,自由激子復(fù)合滿足動(dòng)量守恒,發(fā)射的光子能量[46]為:
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]不同濕度環(huán)境下CH3NH3PbI3薄膜的退化過程[J]. 高曉赫,馬曉燕,谷雨,趙明明,張瑋,黨偉,袁小先. 河北大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2019(04)
[2]含銫鹵化鈣鈦礦的研究進(jìn)展[J]. 王波,李金凱,王文志,劉斌,劉宗明. 中國粉體技術(shù). 2019(05)
[3]鈣鈦礦太陽能電池研究進(jìn)展[J]. 白宇冰,王秋瑩,呂瑞濤,朱宏偉,康飛宇. 科學(xué)通報(bào). 2016(Z1)
[4]微波光電導(dǎo)衰減法測量N型4H-SiC少數(shù)載流子壽命[J]. 高冬美,陸綺榮,韋艷冰,黃彬. 激光技術(shù). 2011(05)
[5]半導(dǎo)體物理效應(yīng)與光電子高技術(shù)產(chǎn)業(yè)[J]. 王啟明. 物理. 2002(07)
[6]熒光衰減曲線的一種多指數(shù)擬合方法[J]. 林久令,董志山,張秀峰,駱永石,王遵立,孫鐵錚,林海,劉行仁. 發(fā)光學(xué)報(bào). 2002(01)
博士論文
[1]基于CH3NH3PbI3(Cl)的鈣鈦礦太陽能電池的光伏過程研究[D]. 魯凱.華中科技大學(xué) 2018
[2]鈣鈦礦太陽電池的高可重現(xiàn)性與大面積制備技術(shù)研究[D]. 張志榮.華北電力大學(xué)(北京) 2017
[3]用于有機(jī)太陽能電池的共軛聚合物設(shè)計(jì)合成與器件研究[D]. 俞江升.南京理工大學(xué) 2017
[4]鈣鈦礦半導(dǎo)體中的瞬態(tài)物理過程研究[D]. 陳奇.南京大學(xué) 2016
[5]低維MoS2的制備及光學(xué)特性研究[D]. 李雪.長春理工大學(xué) 2016
[6]ZnTe薄膜和GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)的制備及光學(xué)特性[D]. 黃樹來.山東大學(xué) 2014
[7]ZnO基稀磁半導(dǎo)體的制備與性質(zhì)研究[D]. 夏川茴.重慶大學(xué) 2010
碩士論文
[1]甲胺基鉛鹵鈣鈦礦晶體的生長與性能研究[D]. 周怡安.山東大學(xué) 2018
[2]光浴對(duì)CH3NH3PbI3薄膜載流子復(fù)合過程的作用機(jī)理研究[D]. 白晶晶.河北大學(xué) 2016
[3]混合溶劑退火誘導(dǎo)鈣鈦礦結(jié)晶及其在鈣鈦礦太陽能電池中的應(yīng)用與研究[D]. 余浩.蘇州大學(xué) 2016
[4]β-In2S3的熱解法制備及其光譜性質(zhì)研究[D]. 郭淑云.大連海事大學(xué) 2012
[5]新型寬禁帶半導(dǎo)體MgxZn1-xO薄膜光學(xué)性質(zhì)的研究[D]. 趙懿琨.山東大學(xué) 2006
本文編號(hào):3054984
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