發(fā)布時間：2021-02-01 08:05

　　從2009年開始,鹵素鈣鈦礦材料因其優(yōu)異的光電性能（如可調(diào)的直接帶隙、強的光學吸收系數(shù)、高的載流子遷移率和壽命（單晶材料的約90μs,薄膜材料約1μs）、大的擴散長度（單晶材料大于175μm,薄膜材料大于1μm）、鹵素原子類型和比例依賴的全可見光范圍的可調(diào)禁帶寬度）,引起了研究者的廣泛關注。全無機鈣鈦礦（ABX₃,A=Cs,B=Pb,X=Cl,Br,I）材料在半導體發(fā)光二極管、光探測器、激光器和太陽能電池中表現(xiàn)出獨特的優(yōu)勢。目前研究者已經(jīng)成功制備了包括零維量子點、一維納米線、和二維納米片在內(nèi)的多種形貌的CsPbX₃鈣鈦礦材料�，F(xiàn)在合成CsPbX₃的主要方法有固相合成、氣相合成和熱注射等,但是這些方法合成路線比較復雜、成核反應速率不好調(diào)控,因此設計并確定高效制備CsPbX₃納米材料的優(yōu)化工藝路線和實驗參數(shù)具有非常重要的意義。本文選擇以CsPbBr₃作為研究對象,通過采用溶液法成功制備了CsPbBr₃材料,并對其光探測性能進行了測試與分析,畢業(yè)論文主要分為以下... 

【文章來源】：湘潭大學湖南省

【文章頁數(shù)】：53 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

（a）鈣鈦礦晶體結構和相關的耐受性和八面體因子

非鈣鈦礦結構。當 t 偏大時，意味著 A 離子較大（換成其他尺寸較大的有機分子），將不再是三維結構構（圖 1-2）等。然而，t 并不是確定鈣鈦礦的晶相其他的非幾何方面的因素，例如，離子穩(wěn)定性，價鈣鈦礦晶體結構和相關的耐受性和八面體因子。（b）計算鈣鈦礦的 t 和μ因子[20]。

圖 1-3 晶體結構的鹵化物鈣鈦礦分別在順序相位從 Cs，甲基銨和甲脒系列的未失真的α相轉變?yōu)榕で摩孪郲25]。1.2.2 鈣鈦礦材料的合成方法CsPbBr3鈣鈦礦材料的合成方法非常多樣，工藝較成熟，主要有一步法，兩步沉積法，化學氣相沉積法，室溫析晶法，高溫熱注射法等，不同的方法合成出來的鈣鈦礦材料具有不同的特性。本工作簡要介紹幾種典型的合成鈣鈦礦的方法（1） 室溫析晶法將 CsBr 和金屬鹵化鹽 PbBr2溶解在 DMSO（二甲基亞砜）或者 DMF（二甲基甲酰胺）中，加入表面活性劑油胺或者油酸，然后將混合好的溶液快速滴到異丙醇中，攪拌一定時間，最后 CsBr 和金屬鹵化鹽 PbBr2在表面活性劑的幫助下迅速反應生成不同形貌的 CsPbBr3。根據(jù)之前研究者的發(fā)現(xiàn)[26]，通過配體輔助重結晶的方法來合成 CH3NH3PbX3量子點。這種方法的化學原理可以應用到全無機鈣鈦礦 CsPbBr3中。室溫析晶法，也可以稱為過飽和重結晶，主要是指在可溶性的體系中懸浮非平衡狀態(tài)被外界激發(fā)（攪拌，雜質），過飽和的離子會析出晶體


本文編號：3012465