相對(duì)于傳統(tǒng)電阻熱效應(yīng)加熱或火焰加熱的方式,感應(yīng)加熱是一種節(jié)能、高效、安全、環(huán)保的先進(jìn)加熱技術(shù)。經(jīng)過幾十年來電力電子技術(shù)的進(jìn)步和發(fā)展,大容量、高工作頻率、高可靠性的感應(yīng)加熱電源成為現(xiàn)今的研究熱點(diǎn)。本文以兆赫茲級(jí)LLC感應(yīng)加熱電源為研究對(duì)象,采用新型寬禁帶半導(dǎo)體SiC MOSFET器件,研究比較分時(shí)控制和并行控制下SiC MOSFET的關(guān)斷損耗,對(duì)實(shí)際的超高頻感應(yīng)加熱電源研究很有價(jià)值。同時(shí)鎖相環(huán)技術(shù)在超高頻感應(yīng)加熱電源中必不可少,本文通過FPGA實(shí)現(xiàn)數(shù)字鎖相功能,并改善了根據(jù)負(fù)載諧振頻率變化動(dòng)態(tài)分頻的性能,從而擴(kuò)大數(shù)字鎖相環(huán)的鎖相范圍。本文第一章對(duì)感應(yīng)加熱電源的背景、原理以及國內(nèi)外在高頻領(lǐng)域的研究現(xiàn)狀、發(fā)展趨勢進(jìn)行介紹,在介紹過相關(guān)高頻感應(yīng)加熱電源拓?fù)涞幕A(chǔ)上,分析了本課題的研究內(nèi)容和意義。第二章首先介紹了本文采用的電壓型感應(yīng)加熱電源拓?fù)浼捌涔ぷ髟?比較分析了LC諧振負(fù)載和LLC諧振負(fù)載各自的負(fù)載特性及其優(yōu)缺點(diǎn),考慮到LLC結(jié)構(gòu)不需要外加負(fù)載匹配變壓器以及易于提高系統(tǒng)功率的特點(diǎn),最后決定采用LLC諧振負(fù)載。然后介紹了分時(shí)控制和并行控制兩種工作時(shí)序,通過兩種理論方法計(jì)算比較了分時(shí)控制和并行... 

【文章來源】：浙江大學(xué)浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：85 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

感應(yīng)加熱原理圖

浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文第2章感應(yīng)加熱電源拓?fù)浼霸矸治?1負(fù)載品質(zhì)因數(shù)Q為：rLQR=(2-3)那么等效阻抗Z的幅值可以計(jì)算得到：2020ZR1Q()=+(2-4)利用mathcad軟件可以繪制Z關(guān)于ω的幅頻特性和相頻特性。圖2.5LC負(fù)載幅頻特性圖2.6LC負(fù)載相頻特性根據(jù)圖2.5和圖2.6可以發(fā)現(xiàn)在諧振頻率ω0處，諧振阻抗等于負(fù)載R，此時(shí)阻抗最校當(dāng)ω<ω0時(shí)，LC負(fù)載呈容性；當(dāng)ω>ω0時(shí)，LC負(fù)載呈感性。由于實(shí)際的感應(yīng)加熱電源工作在感性狀態(tài)，因此繪制了感性區(qū)域的負(fù)載輸出特性。圖2.7LC負(fù)載輸出特性歸一化后可以看出在諧振點(diǎn)的功率因數(shù)、輸出功率和輸出電壓都達(dá)到最大值，最大輸出功率為:|Z|/Rθ

浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文第2章感應(yīng)加熱電源拓?fù)浼霸矸治?1負(fù)載品質(zhì)因數(shù)Q為：rLQR=(2-3)那么等效阻抗Z的幅值可以計(jì)算得到：2020ZR1Q()=+(2-4)利用mathcad軟件可以繪制Z關(guān)于ω的幅頻特性和相頻特性。圖2.5LC負(fù)載幅頻特性圖2.6LC負(fù)載相頻特性根據(jù)圖2.5和圖2.6可以發(fā)現(xiàn)在諧振頻率ω0處，諧振阻抗等于負(fù)載R，此時(shí)阻抗最校當(dāng)ω<ω0時(shí)，LC負(fù)載呈容性；當(dāng)ω>ω0時(shí)，LC負(fù)載呈感性。由于實(shí)際的感應(yīng)加熱電源工作在感性狀態(tài)，因此繪制了感性區(qū)域的負(fù)載輸出特性。圖2.7LC負(fù)載輸出特性歸一化后可以看出在諧振點(diǎn)的功率因數(shù)、輸出功率和輸出電壓都達(dá)到最大值，最大輸出功率為:|Z|/Rθ


本文編號(hào)：3008027