硅基太陽電池占據(jù)著太陽電池行業(yè)的主流市場地位,其正表面結(jié)構(gòu)已基本完善,而背表面的優(yōu)化成為關(guān)注的焦點。進(jìn)一步改善電池背表面的鈍化結(jié)構(gòu)有助于獲得更佳的電學(xué)性能表現(xiàn)。目前最為流行的兩種背鈍化方案可通過背表面接觸結(jié)構(gòu)區(qū)分為使用絕緣介質(zhì)膜鈍化,通過局部開孔方式實現(xiàn)金屬半導(dǎo)體接觸的局部接觸背鈍化結(jié)構(gòu)和使用鈍化接觸結(jié)構(gòu)的全面積接觸背鈍化結(jié)構(gòu)。針對它們各自特點我們分別開展了工作:對于結(jié)構(gòu)相對成熟的局部接觸背鈍化結(jié)構(gòu),擬制備一種低成本雙面多晶PERC（passivated-emitter and rear cell）電池,借助新開發(fā)的腐蝕性鋁漿直接穿透背鈍化膜形成鋁柵線替代原有的全鋁背電極設(shè)計實現(xiàn)雙面發(fā)電;基于熱硝酸氧化超薄界面氧化硅和PECVD沉積的本征非晶硅,并通過磷熱擴散方式實現(xiàn)的全面積鈍化接觸結(jié)構(gòu),詳細(xì)探究了 PECVD沉積工藝對鈍化接觸結(jié)構(gòu)材料性質(zhì)以及鈍化質(zhì)量、接觸電阻率等電學(xué)性能的影響,并建立它們之間的聯(lián)系。對于局部接觸背鈍化結(jié)構(gòu),它的鈍化結(jié)構(gòu)主要由非金屬接觸區(qū)域和金屬接觸區(qū)域兩部分構(gòu)成。首先是非金屬接觸區(qū)域采用的Al2O3加SiN.x的疊層膜鈍化,它主要依靠Al2O3薄膜和Si界面的固定負(fù)... 

【文章來源】：南昌大學(xué)江西省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：115 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

圖２．１６最佳電池電學(xué)性能表現(xiàn)??Ｆｉｇ．２．１６?Ｒｅｓｕｌｔｓ?ｏｆ?ｃｈａｍｐｉｏｎ?ｃｅｌｌ?ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ?ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ??

?第二章雙面多品ＰＥＲＣ電池設(shè)計及優(yōu)化???為驗證模型的可靠性，我們分別對電池正反面施加ＡＭ１．５的標(biāo)準(zhǔn)太陽光，??可以計算模擬得到單個電池的正反面電池光學(xué)性能和電學(xué)性能表現(xiàn)如圖２．１７所??４。光學(xué)性能方面，從圖２．１７ａ可以看到，背表面的反射率會遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于正表面，??它們的反射率差異主要來自于背表面較薄的背鈍化膜，由此導(dǎo)致了當(dāng)背面作為??入射面時具打較差的量子效率表現(xiàn)，這一計算模擬結(jié)果與我們實際獲得的測試??結(jié)果是相符的。電學(xué)性能方面，從圖２．１７ｂ的電學(xué)性能計算模擬結(jié)果可以看到，??雙面ＰＥＲＣ電池的正反面電學(xué)性能輸出與我們實際測試所得的結(jié)果基木一致，??這里的電池電學(xué)性能是基于太陽電池器件的半導(dǎo)體實際輸出特性進(jìn)行設(shè)定，所??建立的模型具有較好的可靠性。??１００｜??１０?Ｉ???，（ａ）?（ｂ）??８?＼??界?６０?Ｆｒｏｎｔ－ｓｉｄｅ?Ｒ?＼?６?－?Ｉ??餐?ｖ?—?Ｆｒｏｎｔ－ｓｉｄｅＱＥ?＼?ｗ－?＜??ｃｏ?ｉ?—？一?Ｒｅａｒ－ｓｉｄｅ?Ｒ?＼＾ｉ?Ｊ?ｃ?％１??ｇ４０－／＼?—Ｒｅａｒ－ｓｉｄｅ?ＱＥ?．?Ｗ?ｔ?，?Ｆｒｏｎｔ－ｓｉｄｅ?ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ?１１??Ｓ?，?）?．＇＼＞廣＇…，乂．以＞：、?Ｙ＼?ｑ?－ａ－?Ｆｒｏｎｔ－ｓｉｄｅ?Ｍｅａｓｕｒｅｄ??｜?／／＼?／＼＼?－?■－?Ｒｅａｒ－ｓｉｄｅ?ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ?Ｕ??％?２０?？／＇?＼?ｊ?＼Ｓ?▼?Ｒｅａｒ－ｓｉｄｅ?Ｍｅａｓｕｒｅｄ?Ｈ??ｃ?Ｉ?Ｖ＾＊＊＊＊＾?２?１??４?Ｉ?。１?．?．?，?，?．１１??４００?６００?８００?１０００

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本文編號：2993494