隨著應用領域的不斷拓展,不斷提高逆變電源的功率密度是一個必然的趨勢,研究提高逆變電源功率密度的相關技術有著極為重要的意義。本文研究基于逆變電源的電感電流混合導通模式來提高效率、降低無源器件尺寸的相關技術,并解決逆變電源在混合導通模式下的波形控制問題。本文首先對逆變電源在不同電流模式下的開關過程及工作特點進行了分析和對比。綜合斷續(xù)電流模式與連續(xù)電流模式的優(yōu)勢,本文采取了混合導通模式的工作模式,使逆變電源既能夠發(fā)揮斷續(xù)電流模式減小SiC MOSFET開關損耗的特點,又能發(fā)揮連續(xù)電流模式降低開關管電流應力的能力。進一步地,本文針對混合導通模式逆變電源在建模中存在的問題,建立了基于電感電荷量為控制變量的統(tǒng)一數(shù)學模型,該模型能夠簡單、方便地對逆變電源進行控制。針對混合導通模式的逆變電源,本文對其損耗進行了詳細分析,建立了各部分元件的損耗模型�；谠摀p耗模型,本文詳細分析了逆變電源的效率與混合導通模式中連續(xù)電流模式與斷續(xù)電流模式的比例分配系數(shù)以及與電感參數(shù)之間的關系,最終確定了最佳的分配比例系數(shù),進而完成了濾波電感值的設計。設計結果使得逆變電源在滿載時能達到最高的工作效率。在逆變電源效率優(yōu)化的基礎... 

【文章來源】：華中科技大學湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：107 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

開關器件發(fā)展示意圖

華 中 科 技 大 學 碩 士 學 位 論 文表 1- 1 傳統(tǒng)材料和寬禁帶材料特性對比材料參數(shù)硅（Si） 碳化硅（SiC）Eg( eV ) 1.1 3.26μe( cm2/ V · S ) 1500 700Vbr( V / μm ) 30 200-300εr11.7 9.7λ ( W / cm · K ) 1.3 小于 3.8其中：Eg為禁帶寬度，μe為電子遷移率，Vbr為擊穿場強，εr為介電常數(shù)，λ 為導熱率

） 2.5 2.7 2.87 3.84 0.62 0.6） 10.75 11.6 12.4 14.5 3.35 4.0）和氮化鎵（GaN）器件是目前研究最為廣泛的相關技術仍不成熟、GaN 器件的驅(qū)動技術較普遍采用 SiC 器件進行應用。其使電路整體器體積得到減小，能夠有效地提高功率密度究技術，電力電子器件在工作時會采用附加軟開關7]：

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：2963166