超薄鋰鑭鋯氧固體電解質(zhì)薄膜的制備與應(yīng)用
【學(xué)位單位】:中國(guó)科學(xué)院大學(xué)(中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類(lèi)】:TM912
【部分圖文】:
超薄鋰鑭鋯氧固體電解質(zhì)薄膜的制備與應(yīng)用1.2 固體電解質(zhì)的分類(lèi)及發(fā)展現(xiàn)狀從固態(tài)電解質(zhì)材料被研究開(kāi)始,至今已經(jīng)有大量的、不同類(lèi)型的固體電解被報(bào)道。如圖 1.1 所示[10],按照電解質(zhì)材料不同,固體電解質(zhì)主要分為:有類(lèi)固體電解質(zhì)、無(wú)機(jī)類(lèi)固體電解質(zhì)和有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合固體電解質(zhì)。
Miara 等[106]通過(guò)第一性原理計(jì)算不同元素對(duì) LLZO 摻雜后產(chǎn)生的缺陷能。通過(guò)缺陷能的大小來(lái)判斷不同元素在不同位置摻雜的可能性及摻雜價(jià)態(tài)。其計(jì)算公式(1-1)為E = E E ∑ (1-1)其中 Edefect為缺陷能,Epure為沒(méi)摻雜時(shí) LLZO 的勢(shì)能,Edoped為摻雜之后 LLZO 的勢(shì)能,Δni為摻雜過(guò)程中產(chǎn)生的原子數(shù)變化,μi為變化原子對(duì)應(yīng)元素的化學(xué)勢(shì)。圖 1.10 是理論計(jì)算的結(jié)果[106],如圖所示綠色元素代表對(duì) LLZO 中 Li 位置的摻雜,紅色元素代表對(duì) LLZO 中 La 位置的摻雜,藍(lán)色元素代表對(duì) LLZO 中 Zr 位置的摻雜。對(duì)應(yīng)元素顏色的深淺代表了缺陷能的大小,即摻雜的難易程度,顏色越深,缺陷能越小,摻雜后的產(chǎn)物越穩(wěn)定。如圖中 Al3+、Ga3+對(duì) Li 位置的摻雜已經(jīng)被實(shí)驗(yàn)確認(rèn),與計(jì)算結(jié)果吻合。[107-110]
Li+的作用力。所以提高 Li+的遷移率的方法為增大 Li+的遷移通道尺寸與降低對(duì)Li+的作用力。Li+的遷移率因素對(duì)離子電導(dǎo)率的影響很好的解釋了硫化物固體電解質(zhì)的離子電導(dǎo)率普遍高于氧化物固體電解質(zhì)的現(xiàn)象。主要因?yàn)?S2-的尺寸半徑比 O2-大,能夠提供更大的 Li+遷移通道。S2-對(duì) Li+的作用力比 O2-小,更方便 Li+的遷移。[38-40]目前,已有大量文獻(xiàn)報(bào)道出利用元素?fù)诫s法來(lái)提高 LLZO 的離子電導(dǎo)率,如利用 Ta[111-119]、Al[120, 121]、W[112, 122, 123]、Nb[124]、Sb[125]、Te[126]、Ga[127]、Ge[128]、Rb[129]元素對(duì) LLZO 摻雜或者多種元素共摻雜[114, 130, 131]。表 1.1 列舉了部分通過(guò)元素?fù)诫s提高 LLZO 離子電導(dǎo)率的工作。其中Li6.4La3Zr1.4Ta0.6O12[119]通過(guò)單元素 Ta 的摻雜將 LLZO 的室溫離子電導(dǎo)率提高到10 3S·cm-1,效果最佳。Wu 等[129]通過(guò) Ga、Rb 兩種元素的共摻雜,也得到了類(lèi)似的數(shù)值。
【相似文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):2843604
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