硅碳復(fù)合材料結(jié)構(gòu)調(diào)控及儲(chǔ)鋰性能研究
【學(xué)位單位】:浙江工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:TB33;TM912
【部分圖文】:
在充電的過(guò)程中,鋰離子從正極脫出,經(jīng)過(guò)電解液嵌入負(fù)極,負(fù)極處于富鋰狀態(tài),而在放電時(shí)則進(jìn)行相反的過(guò)程。圖1-1 鋰離子電池工作原理圖[7]Figure 1-1. Schematic presentation of Li-ion battery以 LiCoO2/C 電池為例,其工作原理如圖 1-1 所示[7]。充電時(shí),由于外電壓的存在,鋰離子從正極 LiCoO2中脫出,穿過(guò)隔膜,到達(dá)負(fù)極并嵌入到石墨層之間,同時(shí)電子從正極由外電路轉(zhuǎn)移到負(fù)極,使得電池正負(fù)極達(dá)到電荷平衡。放電過(guò)程則剛好相反,鋰離子從負(fù)極石墨層中脫出,通過(guò)電解液進(jìn)入正極生成LiCoO2,同時(shí)電子從負(fù)極由外電路轉(zhuǎn)移到正極材料中,使得電池正負(fù)極達(dá)到電荷平衡。電池的電化學(xué)反應(yīng)式可表示為:正極反應(yīng):LiCoO2Li1-xCoO2+ xLi++ xe-(1-1)負(fù)極反應(yīng):xLi++ xe-+ 6C LixC6(1-2)與其他二次電池相比鋰離子電池主要有以下優(yōu)點(diǎn):開路電壓高、能量密度高、輸出功率高、無(wú)記憶效應(yīng)、自放電小、工作溫度范圍寬、循環(huán)壽命長(zhǎng)。因此鋰離子電池在二次電池中具有很大競(jìng)爭(zhēng)力。鋰離子電池由正負(fù)極材料、電解液、隔膜、導(dǎo)電劑、粘結(jié)劑、集流體和外殼組成。鋰離子電池所用電解液為 LiPF6、LiClO4等鋰鹽溶解在碳酸二甲酯(DMC)、碳酸乙烯酯(EC)、碳酸二乙酯(DEC)等的若干混合有機(jī)溶劑中形成
圖1-2 Li-Si合金相圖[Li-Si][26]Figure 1-2. Lithium-silicon phase diagram硅負(fù)極存在的第一個(gè)問(wèn)題目前主要從尺寸上進(jìn)行改性,即將材料據(jù)不同的維度可將納米硅分為硅納米顆粒、硅納米線和納米管以2010 年,Jaephil Cho 課題組制備得到不同納米尺寸的硅納米顆測(cè)試[29](圖 1-3):當(dāng)硅材料的尺寸從 20 納米減小到 10 納米時(shí)。一維硅納米線可以減小材料充放電過(guò)程中徑向的體積變化同時(shí)傳輸?shù)耐ǖ繹30-32]。在集流體上可以直接生長(zhǎng)硅納米線,但是成產(chǎn)業(yè)化。二維硅基薄膜將厚度控制在納米尺寸,可以減少與薄膜的體積膨脹從而保持材料的電化學(xué)穩(wěn)定性,但是得到該結(jié)構(gòu)的材射等工藝成本較高的方法,亦不利于產(chǎn)業(yè)化。當(dāng)硅尺寸縮小到納于縮短傳輸路徑,間接提高離子和電子的傳輸速度,對(duì)于材料的的改善。 1-3 中,當(dāng)材料尺寸從 10 nm 向 5 nm 減小時(shí),電化學(xué)性能反而
浙江工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文6圖1-3 (a)三種不同尺寸的硅納米顆粒以及經(jīng)過(guò)碳包覆后的首周充放電曲線;(b)上述四種材料的循環(huán)性能對(duì)比圖 (右側(cè)箭頭從上往下分別為包碳后的10 nm, 包碳前的10 nm, 20nm, 5 nm)[29]Figure 1-3. (a) Voltage profiles of 5, 10, and 20 nm sized n-Si and 10 nm sized n-Si aftercarbon coating during the first cycle in coin-type half cells at a rate of 0.2 C between 0 and1.5 V. (b) Plot of charge capacity versus cycle number (from top to bottom: 10 nm aftercarborn coating, 10 nm, 20 nm, 5 nm)圖1-4 不同結(jié)構(gòu)硅材料表面SEI生長(zhǎng)機(jī)理示意圖[34]。Figure 1-4. Schematic of SEI formation on silicon surfaces.針對(duì)硅基材料表面生成的 SEI 膜不穩(wěn)定的問(wèn)題,目前的解決方法主要是在材
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