周期激勵憶阻電路的動力學(xué)特性仿真研究
本文關(guān)鍵詞:周期激勵憶阻電路的動力學(xué)特性仿真研究,,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
【摘要】:將周期激勵引入憶阻電路或替換憶阻電路中的振蕩子單元可構(gòu)建周期激勵憶阻電路,新實(shí)現(xiàn)的周期激勵憶阻電路可顯現(xiàn)出復(fù)雜的動力學(xué)特性。本文基于已有的混沌電路模型,引入憶阻及周期激勵,實(shí)現(xiàn)了新的周期激勵憶阻電路,揭示了其產(chǎn)生的復(fù)雜非線性現(xiàn)象。將正弦電壓激勵引入四階憶阻蔡氏電路中,實(shí)現(xiàn)了一個非自治四階憶阻蔡氏電路。采用理論建模,仿真與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證結(jié)合的方法,對非自治四階憶阻蔡氏電路所產(chǎn)生的復(fù)雜動力學(xué)行為進(jìn)行了研究。結(jié)果表明:由于正弦電壓激勵的引入,電路的平衡點(diǎn)隨時間演化而發(fā)生周期性變化,平衡點(diǎn)在線平衡點(diǎn)與無平衡點(diǎn)之間演變,導(dǎo)致自激吸引子與隱藏吸引子交替的現(xiàn)象;另外,電路可產(chǎn)生如瞬態(tài)混沌,瞬態(tài)超混沌和脈擊的瞬態(tài)動力學(xué)行為。為進(jìn)一步地簡化非自治憶阻電路,采用非理想壓控憶阻器替換MLC(Murali Lakshmnan Chua)變體混沌電路中的蔡氏二極管,并引入正弦電壓激勵,構(gòu)建一個簡單的周期激勵MRLC電路。采用數(shù)值仿真和實(shí)驗(yàn)方法對所提出電路的周期極限環(huán),準(zhǔn)周期振蕩以及弱混沌等復(fù)雜動力學(xué)行為進(jìn)行了研究。結(jié)果表明:所提出的周期激勵憶阻混沌電路的復(fù)雜動力學(xué)行為依賴于電路參數(shù)和激勵參數(shù),且新提出的周期激勵憶阻混沌電路具有電路結(jié)構(gòu)簡單、易于物理實(shí)現(xiàn)等優(yōu)點(diǎn)。
【關(guān)鍵詞】:復(fù)雜非線性現(xiàn)象 周期激勵 憶阻 混沌電路
【學(xué)位授予單位】:常州大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:TM501
【目錄】:
- 中文摘要4-5
- ABSTRACT5-9
- 1. 緒論9-15
- 1.1 混沌與混沌電路10-11
- 1.1.1 混沌與混沌系統(tǒng)10-11
- 1.1.2 混沌電路11
- 1.2 自治與非自治混沌電路11-12
- 1.3 非自治憶阻電路概述12-13
- 1.3.1 憶阻與憶阻等效電路12-13
- 1.3.2 非自治憶阻電路13
- 1.4 本文研究動機(jī)與主要內(nèi)容13-15
- 1.4.1 本文研究動機(jī)13-14
- 1.4.2 主要研究內(nèi)容與結(jié)構(gòu)安排14-15
- 2. 周期激勵蔡氏憶阻電路15-30
- 2.1 動力學(xué)建模與平衡點(diǎn)穩(wěn)定性分析15-21
- 2.1.1 電路實(shí)現(xiàn)與動力學(xué)建模16-19
- 2.1.2 平衡點(diǎn)與穩(wěn)定性分析19-21
- 2.2 依賴于激勵頻率的動力學(xué)行為21-23
- 2.3 依賴于激勵頻率的復(fù)雜瞬態(tài)行為23-26
- 2.3.1 瞬態(tài)混沌23-24
- 2.3.2 瞬態(tài)超混沌24-25
- 2.3.3 混沌脈擊現(xiàn)象25-26
- 2.4 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證26-29
- 2.5 小結(jié)29-30
- 3. 簡單周期激勵MRLC電路30-41
- 3.1 等效電路設(shè)計與動力學(xué)建模分析30-34
- 3.2 數(shù)值仿真34-37
- 3.3 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證37-40
- 3.4 本章小結(jié)40-41
- 4. 結(jié)論與展望41-43
- 4.1 研究結(jié)論41
- 4.2 研究展望41-43
- 參考文獻(xiàn)43-48
- 攻讀學(xué)位期間研究成果48-49
- 致謝49
【參考文獻(xiàn)】
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本文關(guān)鍵詞:周期激勵憶阻電路的動力學(xué)特性仿真研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
本文編號:271630
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