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高效硅基-有機(jī)雜化太陽能電池退火與鈍化工藝研究

發(fā)布時間:2020-04-07 18:20
【摘要】:硅基-有機(jī)雜化太陽能電池兼顧了硅基太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率高、使用壽命長、電池特性穩(wěn)定和有機(jī)太陽能電池生產(chǎn)工藝簡單、成本低廉的優(yōu)點(diǎn)。研究硅基-有機(jī)太陽能電池有望克服硅基電池工藝成本耗能大、生產(chǎn)過程復(fù)雜的問題,同時解決有機(jī)太陽能電池載流子遷移率低的問題,從而具有比現(xiàn)有晶硅太陽能電池更加高效-低成本的潛力。絕大多數(shù)的硅基-有機(jī)雜化太陽能電池采用n型硅襯底與p型有機(jī)聚合物形成異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)。研究中最常用的p型有機(jī)聚合物是PEDOT:PSS,這是因?yàn)镻EDOT:PSS具有透光率高、電導(dǎo)率高等優(yōu)點(diǎn)。自2010年以來,硅基-有機(jī)太陽能電池研究興起,國內(nèi)外各研究機(jī)構(gòu)取得了矚目的進(jìn)展,光電轉(zhuǎn)換效率記錄不斷刷新,但是在Si/PEDOT:PSS雜化電池中,PEDOT:PSS薄膜特性如何影響器件光伏性能、鈍化層如何影響n-Si/PEDOT:PSS界面特性、器件可靠性問題以及進(jìn)一步提高光電轉(zhuǎn)換效率等方面,依然存在著欠缺,這些問題也制約著硅基-有機(jī)太陽能電池性能和推廣應(yīng)用。針對以上存在的部分問題,本文圍繞硅基-有機(jī)雜化太陽能電池,開展了以下四個方面的理論和實(shí)驗(yàn)研究,主要研究內(nèi)容和創(chuàng)新點(diǎn)如下:1)PEDOT:PSS薄膜摻雜及退火工藝研究。首先選用了乙二醇為摻雜劑制備n-Si/PEDOT:PSS型太陽能電池,研究了摻雜濃度和退火溫度對電池性能的影響規(guī)律,當(dāng)選用乙二醇為摻雜劑,摻雜濃度為7%,退火溫度為190 ~oC時,太陽能電池的光伏特性最佳;其次,采用基于Lambert W函數(shù)的數(shù)值擬合方法對實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行擬合驗(yàn)證,并提取了太陽能電池的理想因子n,串聯(lián)電阻R_S和并聯(lián)電阻R_(SH)的數(shù)值,通過分析n,R_S,R_(SH)隨退火溫度的變化規(guī)律,得到了退火溫度變化與太陽能電池光伏特性變化的內(nèi)在聯(lián)系;最后,通過測試PEDOT:PSS薄膜的表面粗糙度、電導(dǎo)率以及反射率,得出了退火能夠提高PEDOT:PSS薄膜的電導(dǎo)率從而改善n-Si/PEDOT:PSS太陽能電池光伏特性的結(jié)論。2)n-Si/PEDOT:PSS太陽能電池氧化硅(SiO_x)鈍化實(shí)驗(yàn)研究。基于自然氧化生長SiO_x鈍化層,研究了鈍化層對于PEDOT:PSS薄膜表面粗糙程度、溶液浸潤性、內(nèi)建電勢、光吸收能力的影響,并且分析得出太陽能電池效率的改善的原因是SiO_x鈍化層正表面固定電荷使硅與PEDOT:PSS的接觸界面能帶向上彎曲,提高了光生載流子越過勢壘的幾率。在此基礎(chǔ)上制備的雜化太陽能電池具有良好的光伏特性,最佳光電轉(zhuǎn)換效率為13.31%,短路電流為33.72 mA/cm~2,開路電壓V_(OC)為為0.607 V,對應(yīng)填充因子FF為65%。3)n-Si/PEDOT:PSS太陽能電池氧化鋁(Al_2O_3)鈍化實(shí)驗(yàn)研究。在硅表面采用ALD生長Al_2O_3,研究了Al_2O_3鈍化層厚度對于電池性能的影響規(guī)律和不同Al_2O_3厚度下的量子效率、光致發(fā)光特性,研究發(fā)現(xiàn)在Al_2O_3厚度為1.07 nm條件下獲得最佳光電轉(zhuǎn)換效率為14.84%,開路電壓為0.622 V,短路電流為34.73 mA/cm~2,填充因子為68.67%;將Al_2O_3鈍化層、SiO_x鈍化層以及無鈍化層的太陽能電池樣品在光伏特性和可靠性方面進(jìn)行了對比,使用Al_2O_3鈍化的器件具有最低的暗態(tài)電流和最高的光電轉(zhuǎn)換效率,并且在存放8天之后,無鈍化層的樣品光伏特性衰減最小,由此得出雜化太陽能電池光伏特性退化的兩方面原因:一是PEDOT:PSS薄膜吸水導(dǎo)致分子共軛分布變化引起空穴傳輸能力下降,二是空氣中的氧原子穿過PEDOT:PSS層和鈍化層到達(dá)Si襯底表面反應(yīng)生成SiO_x引起串聯(lián)電阻增大。4)氧化石墨烯(GO)與PEDOT:PSS混合空穴傳輸層實(shí)驗(yàn)研究。使用二維材料GO與PEDOT:PSS溶液相堆疊組成混合空穴傳輸層,提高空穴傳輸層的傳輸能力,降低太陽能電池器件的暗電流;使用拉曼光譜、紫外分光度計等測試手段分析了復(fù)合空穴傳輸層覆蓋特征、光吸收能力和瞬態(tài)光伏特性,結(jié)果表明GO能夠與PEDOT:PSS薄膜兼容,提高了雜化太陽能電池的光吸收能力,同時與單層PEDOT:PSS空穴傳輸層相比,光生載流子的復(fù)合時間由92.5μs增加到99.5μs,證明了混合空穴傳輸層能夠有效抑制了載流子的復(fù)合作用。
【圖文】:

能帶結(jié)構(gòu),耗盡區(qū),空穴,受主離子


西安電子科技大學(xué)博士學(xué)位論文向 n 型半導(dǎo)體一側(cè)運(yùn)動。p 型半導(dǎo)體中帶正電的空穴離開原有位,在 p 型半導(dǎo)體中會相應(yīng)的留下一個帶負(fù)電的受主離子,n 型半流入 p 型半導(dǎo)體后,則會留下一個帶正電的施主離子。施主離子兩側(cè)大量積累,將在接觸面兩側(cè)形成一個由 n 區(qū)指向 p 區(qū)的電場空穴向 p 型半導(dǎo)體一側(cè)漂移,電子向 n 型一側(cè)漂移,從而阻止擴(kuò)度梯度引起的擴(kuò)散運(yùn)動與電場引起的漂移運(yùn)動達(dá)到動態(tài)平衡時,沒有載流子運(yùn)動,就形成了耗盡區(qū),此時耗盡區(qū)內(nèi) p-n 結(jié)兩側(cè)的由于內(nèi)建電場的存在,p 型半導(dǎo)體和 n 型半導(dǎo)體能帶會發(fā)生彎曲級 Ef,此時的能帶結(jié)構(gòu)如圖 1.1 所示,在沒有外界光照激勵條件流產(chǎn)生。

有機(jī)太陽能電池,工作機(jī)理


硅材料具有來源廣泛,制備切割硅錠技術(shù)成熟,光電轉(zhuǎn)換效率高,生產(chǎn)工藝相簡單適用于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。晶體硅太陽能電池根據(jù)硅晶體類型的不同,又以分為單晶硅(CrystallineSi)太陽能電池、多晶硅(Multi-crystallineSi)太陽能電和非晶硅(Amorphous Si)太陽能電池[12,13]。無論是單晶硅、多晶硅還是非晶硅太陽能電池,其基本結(jié)構(gòu)大致相同,目前工生產(chǎn)中所采用的結(jié)構(gòu)都相對簡單。使用直拉法的單晶硅或者掦造法的多晶硅為基底一般采用硼擴(kuò)散摻雜,電阻率為 0.1~1Ω·cm,先在溶液中濕法腐蝕形成絨面,再進(jìn)熱擴(kuò)散工藝形成發(fā)射區(qū),最后通過常壓增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD)生長減反射層燒結(jié)形成正負(fù)電極得到結(jié)構(gòu)完整的太陽能電池[14]。1.3.2 有機(jī)太陽能電池有機(jī)材料,包括大分子聚合物[15],,小分子材料[16],富勒烯衍生物[17]等具有成本廉,光吸收系數(shù)高,柔韌性好,工藝簡單適應(yīng)于印刷電子技術(shù)等特點(diǎn),在光伏研究域中受到的關(guān)注越來越多。
【學(xué)位授予單位】:西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:TM914.4

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本文編號:2618233

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