【摘要】：提出一種應(yīng)用于單相有源濾波器(active power filter,APF)的SiC功率器件的開關(guān)損耗模型。該模型考慮了封裝和印制電路板(printed circuit board,PCB)的寄生參數(shù)與器件結(jié)電容的非線性。詳細(xì)闡述四種單相APF工作狀態(tài)下的建模原理,并給出了各工作狀態(tài)下各時(shí)間段的開關(guān)過程分析與損耗計(jì)算方程�；谟绊慉PF諧波補(bǔ)償性能的關(guān)鍵因素的分析,結(jié)合APF的工作特點(diǎn),提出SiC器件高開關(guān)頻率兼容驅(qū)動方式與封裝及電路布局優(yōu)化方案。搭建基于單相APF的SiC功率器件測試實(shí)驗(yàn)樣機(jī),在不同電壓點(diǎn)和電流點(diǎn)下進(jìn)行測試,并將測試結(jié)果與估算結(jié)果進(jìn)行比較。比較結(jié)果高度吻合,功率損耗誤差在10%以內(nèi),驗(yàn)證了提出的開關(guān)損耗模型的準(zhǔn)確性和有效性。

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