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降壓型功率因數(shù)校正的研究

發(fā)布時間:2017-03-18 16:02

  本文關(guān)鍵詞:降壓型功率因數(shù)校正的研究,,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:接入電網(wǎng)的整流器負載會導(dǎo)致輸入電流波形發(fā)生畸變,使高次諧波電流注入電網(wǎng),降低了電網(wǎng)的穩(wěn)定性和可靠性。大量的電氣安全事故使人們意識必須限制高次諧波電流分量,這時功率因數(shù)校正技術(shù)變得尤為重要。本文介紹了功率因數(shù)校正技術(shù)、功率因數(shù)校正的類型以及相應(yīng)的控制方法。目前常用的是升壓型功率因數(shù)校正電路,但是不能實現(xiàn)過電流/短路保護功能,輸出電壓較高,不利于后級變換器的設(shè)計。針對升壓型功率因數(shù)校正的問題,本文研究了降壓型功率因數(shù)校正,分析了過去人們不采用降壓型功率因數(shù)校正的原因;并從理論上分析了降壓型功率因數(shù)校正電路的可實現(xiàn)性和可用性。功率因數(shù)并不一定要將輸入電流波形校正為正弦波,只要滿足EN61000-3-2標準即可。本文對降壓型功率因數(shù)校正電路工作原理和工作過程進行了分析,重點研究了降壓功率因數(shù)校正電路的驅(qū)動方式和輸出電壓檢測方法,以及開關(guān)管、電感、電容、二極管等功率器件的選擇依據(jù)。對降壓型功率因數(shù)校正電路進行了實驗驗證,通過對輸入電流波形和高次諧波電流值分析,找出符合標準的實驗結(jié)果,并在符合標準的實驗結(jié)果中找出電路效率最高時的工作狀態(tài)。通過對降壓型功率因數(shù)校正的工作過程分析和實驗驗證,證明了降壓型功率因數(shù)校正是一種可實現(xiàn)可應(yīng)用的功率因數(shù)校正方式。降壓型功率因數(shù)校正電路輸出電壓適中,具有過電流/短路保護功能,極大地簡化了后級變換器的設(shè)計,適用于高功率密度電源適配器和基站電源等應(yīng)用場合。
【關(guān)鍵詞】:降壓型變換器 功率因數(shù)校正 總諧波畸變率 輸出電壓 效率
【學(xué)位授予單位】:遼寧工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:TM46
【目錄】:
  • 摘要5-6
  • Abstract6-10
  • 1 緒論10-14
  • 1.1 引言10
  • 1.2 功率因數(shù)發(fā)展歷史10-12
  • 1.3 發(fā)展方向12
  • 1.4 課題研究內(nèi)容12-14
  • 2 功率因數(shù)校正技術(shù)14-20
  • 2.1 功率因數(shù)14-15
  • 2.1.1 相位差14-15
  • 2.1.2 諧波失真15
  • 2.2 功率因數(shù)校正類型15-18
  • 2.2.1 無源功率因數(shù)校正17
  • 2.2.2 有源功率因數(shù)校正17-18
  • 2.3 功率因數(shù)校正控制方法18-19
  • 2.4 本章小結(jié)19-20
  • 3 有源功率因數(shù)校正20-31
  • 3.1 反激型功率因數(shù)校正電路20-23
  • 3.1.1 非隔離型反激式PFC電路20
  • 3.1.2 隔離型反激式PFC電路20-23
  • 3.1.3 反激式功率因數(shù)校正的問題23
  • 3.2 升壓型功率因數(shù)校正23-25
  • 3.2.1 升壓型PFC電路23-24
  • 3.2.2 交錯并聯(lián)Boost PFC電路24-25
  • 3.2.3 升壓型PFC的一些局限25
  • 3.3 降壓型功率因數(shù)校正25-30
  • 3.3.1 降壓型PFC與理想PFC的差距25-26
  • 3.3.2 降壓型PFC的原理26-28
  • 3.3.3 降壓型PFC的優(yōu)勢28-30
  • 3.4 本章小結(jié)30-31
  • 4 降壓型PFC電路分析31-43
  • 4.1 降壓PFC電路的驅(qū)動31-32
  • 4.2 降壓PFC輸出電壓檢測32-34
  • 4.2.1 電平轉(zhuǎn)換32-33
  • 4.2.2 差分放大器33-34
  • 4.2.3 高端誤差放大器加光耦34
  • 4.3 開關(guān)頻率的選擇34-35
  • 4.4 降壓型PFC輸出電壓的選擇35-37
  • 4.4.1 輸出電壓和導(dǎo)通角35
  • 4.4.2 輸入電壓與導(dǎo)通角35-36
  • 4.4.3 建議輸出電壓36-37
  • 4.5 電容的選擇37-39
  • 4.5.1 保持時間與電壓紋波37-39
  • 4.5.2 電壓紋波對功率因數(shù)的影響39
  • 4.6 電感設(shè)計39-42
  • 4.7 二極管和MOS管的選擇42
  • 4.8 本章小結(jié)42-43
  • 5 實驗結(jié)果與分析43-58
  • 5.1 測試要求43-44
  • 5.1.1 基本要求43
  • 5.1.2 測試儀器及測試思路43-44
  • 5.2 輸入電壓對PF和THD的影響44-49
  • 5.2.1 輸入電壓有效值 90V44-45
  • 5.2.2 輸入電壓有效值 100V45-46
  • 5.2.3 輸入電壓有效值 110V46-47
  • 5.2.4 輸入電壓有效值 120V47-49
  • 5.3 輸出電壓對PF和THD影響49-56
  • 5.3.1 輸出電壓 70V49-50
  • 5.3.2 輸出電壓 80V50-51
  • 5.3.3 輸出電壓 90V51-52
  • 5.3.4 輸出電壓 100V52-53
  • 5.3.5 輸出電壓 110V53-56
  • 5.4 損耗分析56-57
  • 5.4.1 開關(guān)管導(dǎo)通損耗56
  • 5.4.2 開關(guān)管開關(guān)損耗56
  • 5.4.3 電感損耗56-57
  • 5.4.4 二極管損耗57
  • 5.4.5 輸出濾波電容ESR損耗57
  • 5.5 本章小結(jié)57-58
  • 6 結(jié)論58-59
  • 參考文獻59-61
  • 攻讀碩士期間發(fā)表學(xué)術(shù)論文情況61-62
  • 致謝62-63
  • 附錄 實驗原理圖與PCB布局圖63-65

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2 鄧衛(wèi)華;張波;;臨界模式下的單級功率因數(shù)校正電路及儲能電容電壓控制的研究[A];中國電工技術(shù)學(xué)會電力電子學(xué)會第八屆學(xué)術(shù)年會論文集[C];2002年

3 文雪峰;佃松宜;鄧翔;梁o塾

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