【摘要】：自1950年以來(lái),電力電子技術(shù)得到了飛速的發(fā)展,其產(chǎn)物已應(yīng)用于生活中的方方面面。多電平逆變器自從被提出后就引起了世界各學(xué)者、各研究機(jī)構(gòu)和各公司的高度注意。多電平逆變器可以根據(jù)其電平數(shù)分為兩電平逆變器、三電平逆變器和多電平逆變器。本文研究的對(duì)象是三電平逆變器中的一種,即T型三電平逆變器,主要研究?jī)?nèi)容如下:1、詳細(xì)的對(duì)T型三電平逆變器的工作原理進(jìn)行分析,并且介紹了一些常用的調(diào)制策略的基本原理。2、推導(dǎo)了T型三電平逆變器的損耗模型,通過(guò)仿真對(duì)比了不同調(diào)制策略下T型三電平逆變器功率器件的損耗情況。例如分別基于SPWM與SHEPWM兩種調(diào)制策略,針對(duì)不同調(diào)制度M,不同功率因數(shù)角θ,不同輸出電流Im的工況下,分析對(duì)比兩種調(diào)制策略下的損耗。通過(guò)研究得到T型三電平逆變器在不同工作模式下的IGBT模塊損耗情況及其對(duì)可靠性的影響。3、研究了開(kāi)路故障的檢測(cè)方法,開(kāi)路故障下功率器件的損耗,開(kāi)路狀態(tài)下功率器件的發(fā)熱與可靠性。4、本文搭建了T型三電平逆變器實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。通過(guò)紅外線熱成像儀測(cè)量了SPWM與SHEPWM策略下的功率器件結(jié)溫,并測(cè)量了出現(xiàn)開(kāi)路故障時(shí)功率器件的結(jié)溫。仿真結(jié)果和實(shí)驗(yàn)結(jié)果均為T(mén)型三電平逆變器損耗和可靠性的研究奠定了基礎(chǔ)。
[Abstract]:Power electronics technology has been developing rapidly since 1950, and its products have been applied in every aspect of life. Since it was proposed, multilevel inverter has attracted the attention of scholars, research institutions and companies all over the world. Multilevel inverter can be divided into two-level inverter, three-level inverter and multi-level inverter according to its level number. The main contents of this paper are as follows: 1. The working principle of T type three-level inverter is analyzed in detail. The basic principles of some common modulation strategies are also introduced. 2. The loss model of T type three-level inverter is derived, and the power device loss of T type three-level inverter under different modulation strategies is compared by simulation. For example, based on two modulation strategies of SPWM and SHEPWM, the loss of the two modulation strategies is analyzed and compared under the conditions of different modulation system M, different power factor angle 胃 and different output current Im. The loss of IGBT module and its influence on reliability of T type three-level inverter under different operating modes are obtained. 3. The detection method of open circuit fault and the loss of power device under open circuit fault are studied. The heating and reliability of power devices in open circuit state. 4. The experimental platform of T-type three-level inverter is built in this paper. The junction temperature of power device under the strategy of SPWM and SHEPWM is measured by infrared thermal imager, and the junction temperature of power device in open circuit fault is measured. The simulation results and experimental results lay a foundation for the study of the loss and reliability of T type three-level inverter.
【學(xué)位授予單位】：安徽大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類號(hào)】：TM464

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本文編號(hào)：2391082