【摘要】：高壓(HV)部件是引起整星失效的單點(diǎn)故障源,其可靠性對(duì)于衛(wèi)星在軌安全運(yùn)行至關(guān)重要;充放電導(dǎo)致高壓部件的二次放電已成為制約衛(wèi)星研制和安全使用的瓶頸問(wèn)題。為此,通過(guò)地面模擬高壓砷化鎵太陽(yáng)電池陣在軌實(shí)際的帶電環(huán)境,復(fù)現(xiàn)了高壓砷化鎵太陽(yáng)電池陣在此環(huán)境下一次靜電放電和二次放電的產(chǎn)生過(guò)程,并對(duì)采用被動(dòng)防護(hù)方法、不同結(jié)構(gòu)尺寸高壓砷化鎵太陽(yáng)電池陣的充放電性能進(jìn)行了研究。研究結(jié)果表明:局部充電不平衡是引起高壓砷化鎵太陽(yáng)電池陣樣品產(chǎn)生一次靜電放電的原因;未涂覆室溫硫化型硅橡膠(簡(jiǎn)稱RTV)的三結(jié)砷化鎵高壓太陽(yáng)電池陣樣品在80 V工作電壓下觸發(fā)二次放電事件,導(dǎo)致高壓太陽(yáng)電池陣串電路永久性短路擊穿。涂覆RTV可降低高壓砷化鎵太陽(yáng)電池陣一次靜電放電產(chǎn)生的放電次數(shù)和放電能量,進(jìn)而減少二次放電的產(chǎn)生。
[Abstract]:High voltage (HV) part is the single point fault source that causes the whole satellite failure, and its reliability is very important for the safe operation of the satellite in orbit, and the secondary discharge of the high voltage component caused by charge and discharge has become the bottleneck problem that restricts the development and safe use of the satellite. Therefore, by simulating the actual charged environment in orbit of high voltage GaAs solar cell array on the ground, the generation process of first electrostatic discharge and secondary discharge of high voltage GaAs solar cell array in this environment is reappeared, and the passive protection method is adopted. The charge-discharge performance of high voltage GaAs solar cell array with different structure sizes has been studied. The results show that the partial charge imbalance is the cause of the single electrostatic discharge of the high voltage GaAs solar array samples. Uncoated room temperature vulcanized silicone rubber (RTV) can trigger a secondary discharge event at 80V working voltage for tri-junction gallium arsenide high voltage solar array samples, which leads to a permanent short-circuit breakdown of high voltage solar array circuits. Coating with RTV can reduce the discharge frequency and discharge energy generated by the primary electrostatic discharge of GaAs solar cell array, and then reduce the secondary discharge generation.
【作者單位】： 蘭州空間技術(shù)物理研究所;中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十八研究所;
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(973計(jì)劃)(613211)~~
【分類號(hào)】：TM914.4

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本文編號(hào)：2246090