基于RB-IGBT的矩陣變換器中雜散電感的影響與優(yōu)化
[Abstract]:The stray inductance of the main circuit is an important factor affecting the reliable operation and overall performance of the matrix converter switch devices. In this paper, the influence of stray inductance and absorption capacitance in matrix converter based on inverse resistance IGBT (RBIGBT) is analyzed, and the optimization design method of main circuit structure is studied. Firstly, the influence of stray inductance and absorption capacitance on the turn-off transient process of bidirectional switching devices in matrix converter is analyzed, and the causes of waveform distortion of matrix converter caused by absorbing capacitance are given. The simulation results based on RB-IGBT behavior model show that the effects of stray inductance and absorption capacitance of the main circuit of matrix converter on the transient duration and peak voltage of bidirectional switching are different. Then an optimal design method of main circuit connection and device layout for reducing stray inductance in converter circuit is proposed, and the basic design principles are summarized and analyzed. Based on this, the experimental platform of matrix converter prototype based on RB-IGBT is constructed. The experimental results of single-tube multi-pulse test on the prototype platform show that the maximum off voltage peak of switching devices under different converters is 375V. By comparing the output current waveform and harmonic spectrum before and after the optimization of the main circuit structure, it can be known that the prototype platform after the optimization of the main circuit structure can obtain higher waveform quality while ensuring the reliability of the system.
【作者單位】: 清華大學(xué)電機(jī)工程與應(yīng)用電子技術(shù)系電力系統(tǒng)及發(fā)電設(shè)備控制和仿真國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號(hào)】:TM46
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,本文編號(hào):2220792
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