發(fā)布時(shí)間：2018-05-06 06:28

  本文選題：特高壓 + 盆式絕緣子��； 參考：《高電壓技術(shù)》2016年02期

【摘要】：為改善1 100 k V GIS用盆式絕緣子的機(jī)械性能,在現(xiàn)有盆式絕緣子中心嵌件結(jié)構(gòu)(結(jié)構(gòu)A)的基礎(chǔ)上,重新設(shè)計(jì)了B、C 2種結(jié)構(gòu),對(duì)其進(jìn)行了界面力學(xué)仿真和水壓試驗(yàn);并仿真計(jì)算、分析了其絕緣性能。結(jié)果表明,B、C 2種結(jié)構(gòu)均能顯著提高盆式絕緣子水壓破壞強(qiáng)度值、減小分散性。但結(jié)構(gòu)C的絕緣裕度較低,個(gè)別三交區(qū)位置的電場(chǎng)強(qiáng)度已經(jīng)超出了許用值。因此,綜合考慮機(jī)械和電氣性能,宜優(yōu)先采用結(jié)構(gòu)B的盆式絕緣子。
[Abstract]:In order to improve the mechanical properties of 1 100 k V GIS basin insulators, based on the existing central insert structure (structure A) of the basin insulators, two kinds of structures are redesigned, the interface mechanics simulation and hydraulic test are carried out, and the simulation calculation is carried out. Its insulation property is analyzed. The results show that the water pressure failure strength of the basin insulator can be significantly increased and the dispersion can be reduced. However, the insulation margin of structure C is low, and the electric field intensity of individual triangulation regions has exceeded the allowable value. Therefore, considering the mechanical and electrical properties synthetically, the basin insulator of structure B should be preferred.
【作者單位】： 中國(guó)電力科學(xué)研究院;國(guó)家電網(wǎng)公司;
【分類(lèi)號(hào)】：TM216

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