本文選題：染料敏化太陽能電池　切入點(diǎn)：ZnO種子層　出處：《陶瓷學(xué)報(bào)》2017年05期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用水熱法制備ZnO納米棒(ZnO NRs),并將其作為光陽極應(yīng)用于染料敏化太陽能電池(Dye-sensitized solar cells,簡稱DSSCs)中。主要研究了不同方法制備的ZnO種子層對水熱合成的ZnO NRs及DSSCs性能的影響。采用XRD和SEM對ZnO種子層和ZnO NRs進(jìn)行了表征,并測試了不同光陽極薄膜組裝的DSSCs的短路電流密度-開路電壓曲線(Short circuit current density-Open circuit voltage,簡稱J-V曲線)、電化學(xué)阻抗譜(Electrochemical impedence spectroscopy,簡稱EIS)和強(qiáng)制調(diào)制光電流譜(Compulsory modulation photocurrent spectrum,簡稱IMPS)、強(qiáng)制調(diào)制光電壓譜(Compulsory modulation photovoltage spectrum,簡稱IMVS)。研究表明,由浸漬法制備的ZnO種子層水熱合成的ZnO NRs垂直導(dǎo)電玻璃生長,長度為45μm,所組裝的DSSCs的性能最佳,光電轉(zhuǎn)換效率(Photoelectric conversion efficiency,簡稱PCE)為1.65%,開路電壓(Open-circuit voltage,簡稱Voc)為0.62 V,短路電流密度(Short-circuit current density,簡稱Jsc)為5.80 m A/cm2,填充因子(Fill factor,簡稱為FF)為0.46。
[Abstract]:Preparation of ZnO nanorods by hydrothermal method (ZnO NRs), and as a photoanode for dye-sensitized solar cells (Dye-sensitized solar cells, referred to as DSSCs). The main effect of the ZnO on the seed layer prepared by different methods on the hydrothermal synthesis of ZnO NRs and DSSCs. The performance of NRs and ZnO seeds of ZnO were characterized by XRD and SEM, short circuit current density different photoanode assembly DSSCs curve and open circuit voltage test (Short circuit current density-Open circuit voltage, referred to as J-V curve), electrochemical impedance spectroscopy (Electrochemical impedence spectroscopy, referred to as EIS) and forced modulated photocurrent spectroscopy (Compulsory modulation photocurrent spectrum, referred to as IMPS), forced modulated photovoltage spectroscopy (Compulsory modulation photovoltage spectrum, referred to as IMVS). The results show that by impregnation prepared by hydrothermal synthesis of ZnO seed layer The ZnO NRs conductive glass vertical growth, the length is 45 m, the DSSCs assembled the best performance, the photoelectric conversion efficiency (Photoelectric conversion efficiency, referred to as PCE) is 1.65%, the open circuit voltage (Open-circuit voltage, referred to as Voc) is 0.62 V, the short-circuit current density (Short-circuit current density, referred to as Jsc) for 5.80 m A/cm2 the fill factor (Fill, factor, referred to as FF) is 0.46.

【作者單位】： 景德鎮(zhèn)陶瓷大學(xué);
【基金】：國家科技合作專項(xiàng)(2013DFA51000) 國家自然科學(xué)基金(51462015) 江西省科技廳(20122BDH80003,20142BAB206009) 江西省青年科學(xué)家培養(yǎng)對象
【分類號】：TM914.4

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本文編號：1602081