本文關(guān)鍵詞： 三相固態(tài)變壓器 拓撲 高壓碳化硅器件 控制策略　出處：《電工技術(shù)學報》2017年S2期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：作為智能電網(wǎng)應用中的關(guān)鍵設備,固態(tài)變壓器(SST)在未來電力系統(tǒng)中占有重要地位。為解決三相模塊級聯(lián)型固態(tài)變壓器拓撲復雜、控制困難、需要解決模塊間均壓均功率等問題,采用簡單的基于高壓碳化硅(Si C)器件的三相固態(tài)變壓器拓撲,其中整流級采用簡單的三相電壓型PWM整流器的常規(guī)拓撲,因而具有很強的現(xiàn)實意義。建立三相Si C-SST拓撲的數(shù)學模型,并對電網(wǎng)電壓平衡下的控制策略進行分析,同時在電網(wǎng)電壓不平衡時,采用抑制SST交流輸入側(cè)負序電流的控制策略。通過PSIM仿真證明了兩種控制策略的可行性與正確性。最后基于Si C器件搭建了實驗平臺,對SST的前端整流級進行了實驗驗證。
[Abstract]:As the key equipment in the application of smart grid, solid-state transformer (SST) plays an important role in the future power system. In order to solve the complex topology and difficult control of three-phase modular cascaded solid-state transformer, it is necessary to solve the problems such as the average power between modules. A simple three-phase solid-state transformer topology based on high-voltage silicon carbide silicon carbide (HSC) device is adopted, in which the rectifier stage adopts the conventional topology of simple three-phase voltage source PWM rectifier. The mathematical model of three-phase Si C-SST topology is established, and the control strategy under voltage balance is analyzed. The feasibility and correctness of the two control strategies are proved by PSIM simulation. Finally, an experimental platform is built based on sic devices to verify the front-end rectifier level of SST.
【作者單位】： 山東大學電氣工程學院;
【基金】：國家自然科學基金(51277115,51541708) 山東省自然基金(ZR2011EEM026)資助項目
【分類號】：TM41

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1 張望;;電力變壓器電氣高壓試驗的技術(shù)要點探索[J];企業(yè)技術(shù)開發(fā);2014年08期

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本文編號：1552178