發(fā)布時間：2018-02-10 06:01

  本文關(guān)鍵詞： 集成門極換流晶閘管 雙極輸運方程 注入狀態(tài) 傅里葉級數(shù)法 空間電荷區(qū)壓降　出處：《高電壓技術(shù)》2017年07期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：研究集成門極換流晶閘管(IGCT)高精度模型建模方法,有助于深入分析IGCT運行特性、提高含IGCT變流器的整體性能。為此,建立了基于傅里葉級數(shù)法的改進型IGCT物理模型,根據(jù)IGCT運行特性考慮了N基區(qū)非耗盡區(qū)注入狀態(tài)的變化,且針對不同注入狀態(tài)將描述該區(qū)域載流子分布特性的雙極輸運方程(ATE)加以簡化,并運用傅里葉級數(shù)法求解,提高了關(guān)斷暫態(tài)拖尾電流精度。利用動態(tài)承壓系數(shù)計算N基區(qū)空間電荷區(qū)壓降,確保電流可靠關(guān)斷的同時,提高了關(guān)斷暫態(tài)電壓精度。同時,N緩沖層和P基區(qū)分別采用準靜態(tài)法與電荷控制法描述載流子分布情況,建立了改進的IGCT物理模型。通過改進模型與現(xiàn)有模型仿真結(jié)果及實驗結(jié)果的對比,驗證了該建模方法的正確性和模型的有效性。
[Abstract]:The research of integrated gate converter thyristor high precision model modeling method is helpful to analyze the operation characteristics of IGCT and improve the overall performance of IGCT converter. Therefore, an improved IGCT physical model based on Fourier series method is established. According to the operation characteristics of IGCT, the variation of injection state in the N-base region is considered, and the bipolar transport equation describing the distribution of carriers in this region is simplified for different injection states, and the Fourier series method is used to solve the equation. The accuracy of turn-off transient trailing current is improved, and the voltage drop in space charge region of N-base region is calculated by using dynamic pressure bearing coefficient, which ensures the reliable turn-off of current at the same time. The accuracy of turn-off transient voltage is improved. At the same time, quasi static method and charge control method are used to describe the carrier distribution in N buffer layer and P base area, respectively. The improved IGCT physical model is established, and the correctness and validity of the model are verified by comparing the simulation results and experimental results of the improved model with that of the existing model.
【作者單位】： 中國科學院大學;中國科學院電工研究所;
【分類號】：TM46;TN34

【參考文獻】

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【共引文獻】

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