本文關(guān)鍵詞：硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的物理機(jī)制和優(yōu)化設(shè)計(jì)　出處：《物理學(xué)報(bào)》2017年10期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： 硅異質(zhì)結(jié) 太陽電池 物理機(jī)制 優(yōu)化設(shè)計(jì)

【摘要】：硅異質(zhì)結(jié)太陽電池是一種由非晶硅薄膜層沉積于晶硅吸收層構(gòu)成的高效低成本的光伏器件,是一種具有大面積規(guī)模化生產(chǎn)潛力的光伏產(chǎn)品.異質(zhì)結(jié)界面鈍化品質(zhì)、發(fā)射極的摻雜濃度和厚度以及透明導(dǎo)電層的功函數(shù)是影響硅異質(zhì)結(jié)太陽電池性能的主要因素.針對(duì)這些影響因素已經(jīng)有大量的研究工作在全世界范圍內(nèi)展開,并且有諸多研究小組提出了器件效率限制因素背后的物理機(jī)制.洞悉物理機(jī)制可為今后優(yōu)化設(shè)計(jì)高性能的器件提供準(zhǔn)則.因此及時(shí)總結(jié)硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的物理機(jī)制和優(yōu)化設(shè)計(jì)非常必要.本文主要討論了晶硅表面鈍化、發(fā)射極摻雜層和透明導(dǎo)電層之間的功函數(shù)失配以及由此形成的肖特基勢(shì)壘;討論了屏蔽由功函數(shù)失配引起的能帶彎曲所需的特征長(zhǎng)度,即屏蔽長(zhǎng)度;介紹了硅異質(zhì)結(jié)太陽電池優(yōu)化設(shè)計(jì)的數(shù)值模擬和實(shí)踐;總結(jié)了硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的研究現(xiàn)狀和發(fā)展前景.
[Abstract]:Silicon heterojunction solar cell is a kind of photovoltaic device with high efficiency and low cost which is composed of amorphous silicon thin film deposited in the absorption layer of crystalline silicon. It is a kind of photovoltaic product with large scale production potential and passivation quality of heterogeneous boundary surface. The doping concentration and thickness of emitter and the work function of transparent conductive layer are the main factors that affect the performance of silicon heterojunction solar cells. And many research groups have put forward the physical mechanism behind the limiting factor of device efficiency. Understanding the physical mechanism can provide guidelines for optimizing the design of high performance devices in the future. Therefore, the physics of silicon heterojunction solar cells is summarized in time. The mechanism and optimum design are very necessary. In this paper, the passivation of silicon surface is mainly discussed. The work function mismatch between emitter doped layer and transparent conductive layer and the Schottky barrier formed therefrom; The characteristic length of shielding band bending caused by work function mismatch is discussed. The numerical simulation and practice of optimization design of silicon heterojunction solar cells are introduced. The research status and development prospect of silicon heterojunction solar cells are summarized.
【作者單位】： 南昌大學(xué)光伏研究院/材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):51361022,61574072) 江西省博士后研究人員科研項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):2015KY12)資助的課題~~
【分類號(hào)】：TM914.4
【正文快照】： 硅太陽電池和SHJ太陽電池的制造成本[4-7].SHJ1引言太陽電池的數(shù)值模擬和實(shí)驗(yàn)研究正在全球范圍內(nèi)展開,對(duì)SHJ太陽電池的結(jié)構(gòu)和工藝做出了許多分硅異質(zhì)結(jié)(silicon heterojunction,SHJ)太陽電析和說明,對(duì)SHJ太陽電池物理機(jī)制和性能影響因池是高效(20%)低成本的硅基器件.硅異質(zhì)結(jié)

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