本文關(guān)鍵詞：微錐陣列對碳納米管薄膜強流脈沖發(fā)射的影響

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【摘要】：采用酞菁鐵高溫熱解方法,以化學鍍銅層為緩沖層,在具有微錐結(jié)構(gòu)陣列的硅基底上制備了CNTs薄膜,并采用二極結(jié)構(gòu),在20 GW脈沖功率源系統(tǒng)中對其強流脈沖發(fā)射特性進行了測試。結(jié)果表明:在相同的峰值電場下,CNT薄膜的發(fā)射電流峰值隨基底微結(jié)構(gòu)單元尺寸的減小而增大,且當脈沖電場的峰值增加時,CNT薄膜的發(fā)射電流的峰值增長速度隨基底微結(jié)構(gòu)單元尺寸的減小而增大。結(jié)合利用有限元分析軟件ANSYS模擬計算的微錐陣列結(jié)構(gòu)上表面的電場分布,研究了不同單元尺寸的微錐陣列對碳納米管薄膜強流脈沖發(fā)射能力的影響。
【作者單位】： 鄭州航空工業(yè)管理學院理學院;中國工程物理研究院應用電子學研究所高功率微波技術(shù)重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 碳納米管 強流脈沖發(fā)射 微錐陣列 單元尺寸 電場模擬
【基金】：國家自然科學基金(11404291) 航空科學基金(2014ZF55013,2015ZF55013) 河南省科技創(chuàng)新杰出人才項目(164200510006) 河南省高等學校重點科研項目計劃(15A140042) 鄭州市科技局普通科技攻關(guān)計劃項目(141PPTGG389)
【分類號】：TQ127.11;TB383.2
【正文快照】： (Received 29 January 2016,accepted 7 April 2016)1引言碳納米管因具有高的長徑比、優(yōu)異的導電率、很高的機械和化學穩(wěn)定性而被認為是極好的電子發(fā)射材料之一,被廣泛用于真空微電子、微波放大管、場發(fā)射顯示器、X射線管等很多領(lǐng)域[1-6]。對于現(xiàn)有的應用領(lǐng)域來說,提高CNTs薄，

本文編號：953742