本文關(guān)鍵詞：In和Te摻雜PbSe薄膜制備及其對薄膜光電性能的影響機(jī)制

  更多相關(guān)文章： PbSe薄膜 摻雜 磁控濺射 能帶結(jié)構(gòu) 光電敏感性

【摘要】：采用中頻磁控濺射技術(shù)制備了PbSeIn和PbSeTe兩種摻雜PbSe薄膜,并采用理論模擬與實(shí)際實(shí)驗(yàn)相結(jié)合的方法研究了In和Te兩種元素的摻雜機(jī)制及其對薄膜性能的影響。結(jié)果表明,In原子主要通過置換Pb原子的形式進(jìn)行摻雜,而Te原子則主要置換Se原子;與未摻雜PbSe薄膜相比,PbSeIn和PbSeTe兩種薄膜的光電敏感性均有一定提高,其中In摻雜PbSe薄膜的平均電阻變化率最高。這是由于In元素在PbSe薄膜禁帶內(nèi)形成深雜質(zhì)能級,提高非平衡載流子壽命所導(dǎo)致的。而PbSeTe薄膜的光電敏感性則與未摻雜PbSe薄膜相近。
【作者單位】： 北京科技大學(xué)材料學(xué)院;中核核電運(yùn)行管理有限公司;
【關(guān)鍵詞】： PbSe薄膜 摻雜 磁控濺射 能帶結(jié)構(gòu) 光電敏感性
【基金】：國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51271022) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資助項(xiàng)目(FRF-TP-14-008A2) 北京市青年英才計(jì)劃(YETP0353)
【分類號】：TB383.2
【正文快照】： 0弓丨言 由于可在室溫下保持優(yōu)異的紅外光電敏性和響應(yīng)度,砸化鉛(PbSe)薄膜已廣泛用于紅外探測器、太陽能電池板和激光二極管等光電器件的光敏核芯W(wǎng)。目前,常用的PbSe薄膜制備工藝包括化學(xué)浴沉積法、分子束外延法以及真空蒸發(fā)法等丨2_41。與上述方法相比,磁控濺射法在制備半

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