發(fā)布時間：2017-09-07 09:29

  本文關(guān)鍵詞：NiO納米線陣列紫外光電特性

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【摘要】：通過電化學(xué)沉積及退火處理制得NiO納米線,并制備出了NiO納米線陣列紫外光電導(dǎo)探測器。掃描電子顯微鏡測試發(fā)現(xiàn)制備出的納米線非常均勻,長度約為50μm。X射線衍射測試表明氧化退火后形成的NiO是多晶立方相結(jié)構(gòu);同時,Ni納米線并沒有被完全氧化,而是形成了一個NiO/Ni殼層結(jié)構(gòu)。在外加1 V偏壓下,暗電流為0.92μA,光電流為19.1μA,光電流約是暗電流的20倍;在0.3 mA偏流下,探測器的暗電壓約為紫外光照下光電壓的2.5倍,響應(yīng)時間為1.6 s,延遲時間為6 s。探測器光暗電壓差在0~1.1 W/cm2光照強度范圍內(nèi)是線性變化的,響應(yīng)度為6.4 V/W。同時,探討了NiO/Ni殼層納米線陣列的光電效應(yīng)工作機理。
【作者單位】： 中國石油大學(xué)(北京)油氣光學(xué)探測技術(shù)北京市重點實驗室;中國石油大學(xué)(北京)光傳感與光探測實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 紫外光探測器 NiO/Ni殼層納米線 納米線陣列 紫外光電效應(yīng) 響應(yīng)度
【基金】：北京市自然基金資助項目(4142047) 北京市青年英才計劃資助項目(YETP0684) 中國石油大學(xué)(北京)優(yōu)秀青年教師研究項目(ZX20150108)
【分類號】：TB383.1;TN23
【正文快照】： 0引言NiO是一種禁帶寬度Eg較大的半導(dǎo)體材料(室溫下Eg=3.74 eV),在可見光和紅外范圍內(nèi)沒有響應(yīng),具有成本低廉、效率高以及易于制造等優(yōu)點。近幾年,NiO基材料和器件的研究備受關(guān)注[1-5]。特別是光電器件,B.O.Jung等人[6]制備出了NiO薄膜/ZnO納米線發(fā)光二極管,在450~650 nm的可

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 王敬,熊貴光;金屬納米線陣列的光學(xué)非線性增強因子的分析和計算[J];光子學(xué)報;2004年02期

2 牛宇然;張輝;陳子瑜;黃沛霖;武哲;;鈷鉑納米線陣列的制備與性能研究[J];電子顯微學(xué)報;2006年06期

3 陳東;宋國君;彭智;佘希林;李建江;韓萍;;簡單蝕刻法制備具有可控高度的金屬納米線陣列[J];功能材料與器件學(xué)報;2007年04期

4 劉建華;;不同結(jié)構(gòu)鎳納米線陣列的制備及其磁性[J];功能材料信息;2007年05期

5 韓萍;宋國君;徐思亭;孫桂濱;袁芳;韓云海;;電化學(xué)模板法制備金屬Ni納米線陣列的研究[J];青島大學(xué)學(xué)報(工程技術(shù)版);2008年02期

6 張軼群;施毅;濮林;張榮;鄭有p，

本文編號：808752