本文關(guān)鍵詞：ITO薄膜的研究進(jìn)展

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【摘要】：ITO是錫摻雜氧化銦薄膜的簡(jiǎn)稱,屬于透明導(dǎo)電氧化物材料。常規(guī)沉積方法制備的ITO薄膜通常為非晶態(tài)或體心立方晶系晶體,為n型半導(dǎo)體材料,其載流子為自由電子,主要來源于沉積過程中薄膜化學(xué)計(jì)量比偏離或陽離子摻雜形成的施主雜質(zhì)。ITO薄膜是當(dāng)前研究和使用最為廣泛的透明導(dǎo)電氧化物薄膜材料,由于具有低電阻率、高可見光透過率、高紅外反射率等獨(dú)特物理特性而被大量應(yīng)用于平板顯示器、太陽能電池、發(fā)光二極管、氣體傳感器、飛機(jī)風(fēng)擋玻璃除霜器等領(lǐng)域。此外,ITO薄膜對(duì)微波還具有高達(dá)85%的衰減作用,因而在電磁屏蔽等軍用領(lǐng)域顯示出巨大的潛在應(yīng)用價(jià)值。過去幾十年里,針對(duì)ITO薄膜的研究工作主要聚焦于薄膜的光電性能上。當(dāng)前,伴隨著ITO薄膜的應(yīng)用范圍在航空航天和軍用武器裝備等領(lǐng)域的拓展,ITO薄膜在惡劣力學(xué)環(huán)境中的使用日漸增多。因此,除光電性能外,ITO薄膜的力學(xué)性能也開始受到研究者越來越多的關(guān)注,人們對(duì)薄膜器件在各類惡劣使用環(huán)境中的穩(wěn)定性及耐久性提出了更高的要求,這一要求使得對(duì)ITO薄膜力學(xué)性能的深入研究分析有了重要的理論及實(shí)際意義。本文綜述了近年來ITO薄膜在微結(jié)構(gòu)特性、能帶結(jié)構(gòu)、光電性能及力學(xué)性能等方面的研究進(jìn)展,簡(jiǎn)略探討了ITO薄膜的研究發(fā)展方向。
【作者單位】： 中國建筑材料科學(xué)研究總院;
【關(guān)鍵詞】： ITO薄膜 物理性能
【分類號(hào)】：TB383.2
【正文快照】： 1907年,Badeker報(bào)道了利用反應(yīng)熱蒸發(fā)金屬Cd的方法制備的半透明導(dǎo)電Cd O薄膜,首次將自然界中互為矛盾的透光性及導(dǎo)電性結(jié)合到一起,并由此誕生了功能薄膜材料家族的重要一員??透明導(dǎo)電氧化物薄膜(Transparent Conducting Oxide,TCO)。在發(fā)明初期,限于電子行業(yè)的發(fā)展水平,TCO薄

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