本文關(guān)鍵詞：基于先進(jìn)等離子體的低溫鈍化氮化硅薄膜的研究

  更多相關(guān)文章： SiNx 等離子體化學(xué)氣相沉積 表面鈍化 容性放電

【摘要】：本文利用容性放電模式(E-mode)的電感耦合等離子體(ICP)化學(xué)氣相沉積技術(shù),在低溫(100℃)下采用硅烷(Si H_4)、氮?dú)?N_2)和氫氣(H_2)作為先驅(qū)反應(yīng)氣體制備氫化氮化硅薄膜(Si Nx∶H),并通過傅里葉紅外光譜(FTIR)、掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線光電子能譜儀(XPS)對薄膜的鍵結(jié)構(gòu)、鍵密度、氫含量以及化學(xué)組成進(jìn)行表征。采用少子壽命測試儀(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型晶硅表面的鈍化效果。結(jié)果表明,氮硅原子比為0.4的Si N0.4∶H薄膜具有最高的氫含量,高達(dá)29%,而且其鈍化效果最好。最高少子壽命達(dá)到251μs,表面復(fù)合速率降低至85 cm/s,Suns-Voc測到的提示開路電壓達(dá)到652 m V。
【作者單位】： 江南大學(xué)電子工程系物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)應(yīng)用教育部工程研究中心;
【關(guān)鍵詞】： SiNx 等離子體化學(xué)氣相沉積 表面鈍化 容性放電
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61404061) 江蘇省自然科學(xué)青年基金(BK20140168)
【分類號】：TB383.2
【正文快照】： (Received 18 December 2015,accepted 28 January 2016)1引言采用非晶氫化氮化硅薄膜(簡稱為a-Si Nx∶H或者Si Nx)作為晶硅表面的鈍化層和光學(xué)減反層已經(jīng)成為當(dāng)今工業(yè)晶硅太陽能電池生產(chǎn)線中的一門標(biāo)準(zhǔn)工藝[1,2]。氮化硅的折射率一般是2,使其作為減反層能顯著降低入射太陽光

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1 宋江婷;;PECVD沉積氮化硅薄膜的透過率研究[J];科技創(chuàng)新導(dǎo)報(bào);2012年32期

2 張龍龍;周炳卿;張林睿;高玉偉;;PECVD制備富硅氮化硅薄膜的工藝條件及其性質(zhì)的研究[J];硅酸鹽通報(bào);2014年04期

3 楊輝,丁新更,孟祥森,馬青松,葛曼珍;APCVD制備氮化硅薄膜的微觀結(jié)構(gòu)[J];功能材料;2000年06期

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本文編號：782276