發(fā)布時(shí)間：2017-09-01 23:26

  本文關(guān)鍵詞：碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料超疏水表面的制備

  更多相關(guān)文章： 超疏水表面 電化學(xué)蝕刻 SiC/Al復(fù)合材料 微納復(fù)合結(jié)構(gòu)

【摘要】：采用電化學(xué)蝕刻方法在碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料(Si C/Al)表面構(gòu)筑了微納結(jié)構(gòu),重點(diǎn)分析了蝕刻電流密度和蝕刻時(shí)間等關(guān)鍵操作參數(shù)對(duì)所得表面微觀形貌及潤濕特性的影響。研究發(fā)現(xiàn),較高電流密度(6 A/dm2)下刻蝕的Si C/Al復(fù)合材料表面可形成由微米級(jí)"粒狀"結(jié)構(gòu)和納米級(jí)結(jié)構(gòu)(顆粒狀和波鱗狀)復(fù)合而成的微 納雙層結(jié)構(gòu),且這種特殊結(jié)構(gòu)不因后續(xù)刻蝕時(shí)間延長而改變;優(yōu)化條件形成的Si C/Al復(fù)合材料刻蝕表面呈現(xiàn)出靜態(tài)接觸角高達(dá)160.7?、滾動(dòng)角低至4?的超疏水特性。本研究結(jié)果說明Si C/Al復(fù)合材料可用于制備自清潔表面。
【作者單位】： 河南理工大學(xué)機(jī)械與動(dòng)力工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 超疏水表面 電化學(xué)蝕刻 SiC/Al復(fù)合材料 微納復(fù)合結(jié)構(gòu)
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51475149) 河南省高�？萍紕�(chuàng)新團(tuán)隊(duì)支持計(jì)劃(15IRTSTHN013) 河南理工大學(xué)科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)支持計(jì)劃(T2014-1)~~
【分類號(hào)】：TB33;TB306
【正文快照】： National Natural Science Foundation of China(51475149);Program for ScienceTechnology Innovation Team inUniversities of Henan Province(15IRTSTHN013);Program for ScienceTechnology Innovation Team in HenanPolytechnic University(T2014-1)以荷葉為代表,自然界

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本文編號(hào)：775044