本文關(guān)鍵詞：靜電紡絲法制備納米線陣列及其在電子與光電子領(lǐng)域中的應(yīng)用（英文）

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【摘要】：一維納米線的有序化排列問題,是決定其未來(lái)在高集成微納電路中應(yīng)用前景的關(guān)鍵因素.本綜述對(duì)目前能夠?qū)崿F(xiàn)納米線有序化排列的技術(shù)方法做了一個(gè)簡(jiǎn)要的歸納,重點(diǎn)闡述靜電紡絲技術(shù)在納米線制備和有序化排列方面的優(yōu)勢(shì)及相關(guān)技術(shù)和應(yīng)用進(jìn)展.本文首先按技術(shù)特點(diǎn)將目前納米線有序化排列技術(shù)大致分為"先生長(zhǎng)后排列","先排列后生長(zhǎng)"以及"邊生長(zhǎng)邊排列(即靜電紡絲技術(shù))"三大類,并對(duì)各類方法的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了簡(jiǎn)要評(píng)述.然后著重介紹靜電紡絲技術(shù)及其相關(guān)技術(shù)進(jìn)展,并進(jìn)一步展示了當(dāng)前基于靜電紡絲技術(shù)制備的納米線陣列在微納電極、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、傳感器以及光探測(cè)器等方向的應(yīng)用.最后就靜電紡絲技術(shù)的未來(lái)發(fā)展做了簡(jiǎn)要展望.綜上,由于靜電紡絲技術(shù)在一維材料制備及其有序化排列方面的簡(jiǎn)便性和低成本優(yōu)勢(shì),其必將在基于一維材料的電子學(xué)/光電子學(xué)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景.
【作者單位】： State
【關(guān)鍵詞】： electrospinning aligned nanowire array electronics optoelectronics
【基金】：supported by the National Natural Science Foundation of China (21322106,21501060 and 51472097) National Basic Research Program of China (2015CB932600) Program for HUST Interdisciplinary Innovation Team (2015ZDTD038) the Fundamental Research Funds for the Central University
【分類號(hào)】：TB383.1;TQ340.64
【正文快照】： INTRODUCTIONOne-dimensional(1D)semiconductor nanowires(NWs)are ideal building blocks for nano-circuit not only becauseof their unique electrical and optical properties[1-3],butalso for their compatibility to be both conducting channeland connecting wires

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本文編號(hào)：747780