ZnO納米結(jié)構(gòu)的表面改性及物性研究
本文關(guān)鍵詞:ZnO納米結(jié)構(gòu)的表面改性及物性研究
更多相關(guān)文章: 氧化鋅納米線 水熱法 表面修飾 核殼結(jié)構(gòu) 局域態(tài)激子 光致發(fā)光
【摘要】:ZnO納米結(jié)構(gòu)具有獨特的物理化學(xué)性質(zhì),是制備半導(dǎo)體光電器件的重要材料。本論文圍繞ZnO納米結(jié)構(gòu)的制備及其表面調(diào)控開展了如下研究工作:采用原子層沉積法(ALD)于襯底上生長ZnO薄膜層作為籽晶層;再利用水熱法制備出具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)且沿c軸取向的高質(zhì)量ZnO納米線陣列,并獲得了高效紫外發(fā)光。通過兩步法引入S元素對ZnO納米線進行表面修飾改性,獲得ZnO/ZnS核殼結(jié)構(gòu)的納米線;ZnO/ZnS納米線的近帶邊紫外發(fā)光強度顯著增強,達到原生ZnO納米線的2.5倍,同時伴隨著樣品可見區(qū)(深能級)的發(fā)射帶幾乎被完全淬滅。探究退火工藝處理對ZnO/ZnS納米線發(fā)光特性的影響;獲得了ZnO/ZnS納米線的最佳處理條件為在250℃的退火溫度下退火處理30s,相應(yīng)的紫外發(fā)射強度約為原生ZnO納米線的7倍。
【關(guān)鍵詞】:氧化鋅納米線 水熱法 表面修飾 核殼結(jié)構(gòu) 局域態(tài)激子 光致發(fā)光
【學(xué)位授予單位】:長春理工大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:TQ132.41;TB383.1
【目錄】:
- 摘要4-5
- ABSTRACT5-8
- 第一章 緒論8-20
- 1.1 引言8
- 1.2 ZnO表面結(jié)構(gòu)和基本性質(zhì)8-10
- 1.2.1 ZnO材料晶體結(jié)構(gòu)8-9
- 1.2.2 ZnO材料基本性質(zhì)9-10
- 1.3 ZnO納米材料的研究現(xiàn)狀10-16
- 1.3.1 ZnO納米激光器10-12
- 1.3.2 ZnO納米發(fā)光二極管12-14
- 1.3.3 ZnO納米光電探測器14-16
- 1.4 ZnO納米結(jié)構(gòu)的表面修飾研究進展16-19
- 1.5 本論文研究目的和主要內(nèi)容19-20
- 第二章 一維ZnO納米材料的制備手段及表征方法20-27
- 2.1 一維ZnO納米結(jié)構(gòu)的制備手段20-22
- 2.1.1 化學(xué)氣相沉積(CVD)20-21
- 2.1.2 模板輔助法21
- 2.1.3 電化學(xué)沉積法21-22
- 2.1.4 水熱法22
- 2.2 一維ZnO納米結(jié)構(gòu)的表征方法22-26
- 2.2.1 X射線衍射分析 (XRD)23
- 2.2.2 掃描電子顯微鏡 (SEM)23-24
- 2.2.3 透射電子顯微鏡 (TEM)24-25
- 2.2.4 光致發(fā)光光譜測試 (PL)25-26
- 2.3 本章小結(jié)26-27
- 第三章 ZnO納米線的制備及表面修飾研究27-37
- 3.1 一維ZnO納米線的制備及其表征分析27-31
- 3.1.1 實驗材料和表征儀器27
- 3.1.2 實驗過程27-28
- 3.1.3 樣品的表征測試28-30
- 3.1.4 小結(jié)30-31
- 3.2 S元素對ZnO納米線的表面修飾研究31-35
- 3.2.1 實驗過程31
- 3.2.2 樣品的表征測試31-35
- 3.3 本章小結(jié)35-37
- 第四章 退火對ZnO/ZnS核殼結(jié)構(gòu)納米線物性研究37-46
- 4.1 引言37
- 4.2 實驗流程37
- 4.3 樣品的表征測試37-45
- 4.4 本章小結(jié)45-46
- 結(jié)論46-47
- 致謝47-48
- 參考文獻48-51
- 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表論文情況51
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