本文關鍵詞：MPCVD法制備納米金剛石薄膜的研究及應用進展

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【摘要】：通過介紹不同氣源和相關工藝參數(溫度、功率等)對MPCVD法制備納米金剛石的影響,并對部分學者的研究成果進行簡述。然后簡要概括了MPCVD納米金剛石在各種窗口、寬禁帶半導體功率器件以及生物醫(yī)學中的應用,最后對納米金剛石未來的發(fā)展做出展望。
【作者單位】： 武漢工程大學湖北省等離子體化學與新材料重點實驗室;
【關鍵詞】： 微波等離子體 化學氣相沉積 納米金剛石薄膜 應用
【基金】：湖北省教育廳科學技術研究計劃優(yōu)秀中青年人才項目(No.Q20151517) 武漢工程大學科學研究基金項目(No.K201506)
【分類號】：TQ163;TB383.2
【正文快照】： 0引言化學氣相沉積法(CVD)沉積的金剛石薄膜由于其良好的化學穩(wěn)定性、極高的熱導率和較高的彈性模量等優(yōu)良性能,成為許多科學技術應用領域里的首選材料[1-2]。然而,用CVD法制備出來的金剛石薄膜通常晶粒尺度為微米級,晶粒間存在有明顯的空隙,且生長似柱狀[3],因而表面粗糙度較

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本文編號：550575