本文關(guān)鍵詞：電化學(xué)沉積制備納米晶Bi-Te薄膜及其表征（英文），，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：采用恒電流電化學(xué)沉積工藝制備Bi-Te二元薄膜。隨著沉積時(shí)間的變化,在同一個(gè)電極上依次出現(xiàn)了單相的Bi_2Te_3和Bi_4Te_3薄膜。其中,Bi_2Te_3薄膜是由規(guī)則的長(zhǎng)度為100 nm左右,平均寬度為10 nm的納米棒組成,其具有非常大的比表面積,非常有利于其作為熱電材料的應(yīng)用。而Bi_4Te_3薄膜是由納米顆粒團(tuán)聚而成的不規(guī)則多面體組成。研究證明通過改變沉積參數(shù),有可能在Bi-Te二元系統(tǒng)的沉積過程中對(duì)生成物的相組成和形貌進(jìn)行調(diào)控。
【作者單位】： 臺(tái)州學(xué)院;西北有色金屬研究院;
【關(guān)鍵詞】： 電化學(xué)沉積 恒電流 薄膜 熱電材料 Bi_Te_ 納米棒
【基金】：National Natural Science Foundation of China(51201053) Zhejiang Province Xinmiao Talent(2013R407015)
【分類號(hào)】：TB383.2
【正文快照】： Bismuth telluride(Bi2Te3)and its alloys are known as one of the best thermoelectric(TE)materials currently available near room temperature with their highest figure of merit ZT≥1,and most modern thermoelectric coolers,thermal sensors,and so on,are made

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本文編號(hào)：508988