本文關(guān)鍵詞：鋅摻雜包覆狀氮化鎵納米線(xiàn)的制備及表征，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：采用化學(xué)氣相沉積法在石英襯底上沉積出鋅摻雜的GaN納米線(xiàn)。利用X射線(xiàn)衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線(xiàn)能譜儀(EDS)和拉曼光譜(Raman)對(duì)鋅摻雜GaN納米線(xiàn)進(jìn)行了結(jié)構(gòu)和形貌的表征。結(jié)果表明:鋅摻雜后GaN納米線(xiàn)的XRD圖譜向低角度方向移動(dòng),衍射峰更加明顯。鋅摻雜Ga N納米線(xiàn)存在一層包覆結(jié)構(gòu),納米線(xiàn)的直徑范圍約為300~500 nm,包覆層的厚度在150~200 nm。鋅摻雜GaN納米線(xiàn)的Raman光譜在E2(high)和A1(LO)出現(xiàn)了微小的紅移。最后對(duì)包覆結(jié)構(gòu)的可能形成機(jī)理進(jìn)行了探討。
【作者單位】： 沈陽(yáng)理工大學(xué)理學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 化學(xué)氣相沉積 GaN納米線(xiàn) 包覆結(jié)構(gòu) 鋅摻雜
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(11004138) 遼寧省優(yōu)秀人才支持計(jì)劃項(xiàng)目(LJQ2011020) 沈陽(yáng)市科技局應(yīng)用基礎(chǔ)專(zhuān)項(xiàng)(F16-205-1-16)
【分類(lèi)號(hào)】：TN304.2;TB383.1
【正文快照】： 作為重要的第3代半導(dǎo)體材料,Ga N(3.4 e V)具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、介電常數(shù)小、電子漂移飽和速度高、襯底的絕緣性能和導(dǎo)熱性能良好等優(yōu)點(diǎn),已成為目前世界上最先進(jìn)的半導(dǎo)體材料之一[1-3]。其一維半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)在微電子和光電子器件等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景[4-6]。隨著

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：444000