本文關(guān)鍵詞：Al和Mn摻雜ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：采用磁控濺射方法在硅襯底上制備了純ZnO薄膜和Al、Mn摻雜的ZnO薄膜。用X衍射和原子力顯微鏡分析了薄膜的晶化行為和顯微結(jié)構(gòu),利用Keithley 2400高阻計(jì)分析了薄膜的電學(xué)性質(zhì)。結(jié)果表明,摻入Al的ZnO薄膜有良好的晶化,有很好的表面結(jié)構(gòu),顯示強(qiáng)烈的(002)擇優(yōu)取向,呈現(xiàn)低的電阻率,可用作太陽能電池的電極材料。
【作者單位】： 廣西機(jī)電職業(yè)技術(shù)學(xué)院;廣西大學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)備處;
【關(guān)鍵詞】： ZnO薄膜 薄膜結(jié)構(gòu) 電學(xué)特性
【基金】：廣西壯族自治區(qū)教育廳立項(xiàng)項(xiàng)目“太陽能電池透明導(dǎo)電電極材料的研究”(LX2014560)
【分類號】：TB383.2
【正文快照】： 氧化鋅(ZnO)是一種寬禁帶(~3.3eV)Ⅱ~Ⅳ族半導(dǎo)體,具有六方晶體結(jié)構(gòu)(纖鋅礦型)。ZnO薄膜是一種n型半導(dǎo)體,具有低的電阻率,在可見光區(qū)域具有高的透明度,可用于太陽能電池和平板顯示器的透明電極。ZnO薄膜是紫外(UV)激光器的半導(dǎo)體材料,在室溫下具有60 meV[1]的激子束縛能及低的

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本文編號：421567