發(fā)布時間：2017-06-02 14:27

  本文關(guān)鍵詞：磁控濺射制備Nb摻雜IZO薄膜光電學(xué)性能研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：通過磁控濺射方法制備一種新型薄膜晶體管有源層材料Nb摻雜的氧化銦鋅(IZO)非晶薄膜(a-INZO)。運用XRD、光致發(fā)光、Hall測試等檢測方法分析INZO薄膜微觀結(jié)構(gòu)、缺陷狀態(tài)以及電學(xué)性能。光致發(fā)光結(jié)果表明,INZO相較于Ga摻雜的IZO(IGZO)具有更低的深能級缺陷密度。Hall效應(yīng)測試結(jié)果表明,通過調(diào)節(jié)濺射過程中氧氣流量可有效控制INZO薄膜載流子濃度,使之適合于制備薄膜晶體管(TFT)器件。INZO薄膜遷移率隨載流子濃度的變化規(guī)律符合滲流傳導(dǎo)模型,載流子濃度較低時,遷移率隨載流子濃度增加而增加;載流子濃度較高時,遷移率下降,光學(xué)數(shù)據(jù)的分析表明其帶尾態(tài)寬度較大,結(jié)構(gòu)更無序。提高濺射基底溫度可有效提高遷移率,但對薄膜無序度的改善并不明顯。
【作者單位】： 先進(jìn)成形制造教育部重點實驗室清華大學(xué)材料學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 無機(jī)非金屬材料 Nb摻雜IZO INZO 光致發(fā)光 遷移率 磁控濺射
【分類號】：TB383.2
【正文快照】： Optical and Electronic Properties of Nb Doped Indium-zincOxide Films Grown by Magnetron SputteringCAO Mingjie ZHAO Ming ZHUANG Daming*GUO Li OUYANG LiangqiSUN Rujun ZHAN Shilu(Key Lab for Advanced Materials Processing Technologies,Ministry of Education,C

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