環(huán)氧樹脂因優(yōu)異的粘接性能、較強(qiáng)的化學(xué)穩(wěn)定性和易于成型等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電子封裝領(lǐng)域。但電子器件的功率密度越來越高,普通環(huán)氧樹脂已難以滿足器件有效熱管理的需求。因此,高導(dǎo)熱、電絕緣、低黏度和低介電損耗的環(huán)氧樹脂電子封裝材料成為保障高功率電子器件順利運(yùn)行的關(guān)鍵。高導(dǎo)熱、電絕緣、低膨脹系數(shù)的氮化硼是聚合物理想的導(dǎo)熱填料,但僅高填充量的氮化硼才能從本質(zhì)上提升環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱能力。然而,高含量的導(dǎo)熱填料不僅劣化環(huán)氧樹脂的加工流動(dòng)性,而且降低自身在環(huán)氧樹脂基體中的分散均勻性,影響環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的綜合性能。本論文分別采用填料復(fù)配、聚合物接枝等方法對(duì)六方氮化硼（h-BN）改性后制備環(huán)氧樹脂復(fù)合材料,利用填料的協(xié)同效應(yīng)、接枝聚合物的界面增容作用改善環(huán)氧樹脂復(fù)合體系的加工流動(dòng)性和分散狀況,提升復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能。論文的主要研究?jī)?nèi)容及結(jié)果如下:（1）以銀納米線為復(fù)配填料制備了環(huán)氧樹脂/h-BN/銀納米線復(fù)合材料,研究了銀納米線的長(zhǎng)徑比（短銀納米線、長(zhǎng)銀納米線和超長(zhǎng)銀納米線的長(zhǎng)徑比分別為75、150和1000）和填充量、h-BN的填充量、長(zhǎng)銀納米線（long-AgNWs）與h-BN的協(xié)同效應(yīng)對(duì)環(huán)氧樹脂復(fù)合體系的...

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【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖1-1典型底部填充封裝示意圖

圖1-1典型底部填充封裝示意圖[7]Fig1-1TypicalschematicdiagramofunderfillPackaging[7]圖1-2典型3D封裝示意圖[8]Fig1-2Typicalschematicdiagramof3DP....

圖1-2典型3D封裝示意圖

華中科技大學(xué)博士學(xué)位論文散熱。常用低導(dǎo)熱封裝材料無(wú)法滿足電子芯片對(duì)高效熱管理的要求。高性能需具有高導(dǎo)熱系數(shù)（>1W/mK）、粘接性強(qiáng)度、玻璃化溫度（>125oC）和及低加工黏度（<20Pa·s，25oC）、吸潮率和熱膨脹系數(shù)（20-30ppm/o....

圖1-3LED封裝示意圖

華中科技大學(xué)博士學(xué)位論文ED器件中70%的能源轉(zhuǎn)化成了熱能。大量熱量的淤積嚴(yán)重影響LED的發(fā)光效使用壽命。例如在恒流狀態(tài)下，LED器件工作溫度每上升10℃，發(fā)光效率降%，工作壽命降低50%。因此，有效的熱管理成為L(zhǎng)ED產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵....

圖1-4溫度梯度場(chǎng)與熱流方向[37]

科技大學(xué)博士學(xué)位論熱對(duì)流、輻射和傳導(dǎo)[37]。熱對(duì)流是指流體中的現(xiàn)象，直到流體內(nèi)部溫度均一才會(huì)停止。熱對(duì)流，由流體溫度的差異引起的內(nèi)部密度或壓力不電磁波為載體向環(huán)境中傳播。熱輻射不依賴于物體間傳遞[38]。熱傳導(dǎo)也被稱為導(dǎo)熱，當(dāng)相互會(huì)自發(fā)地從高溫區(qū)向低溫區(qū)轉(zhuǎn)移。熱....

本文編號(hào)：4043175