發(fā)布時(shí)間：2025-03-18 02:08

　　等離子體電解氧化（Plasma Electrolytic Oxidation,PEO）是一項(xiàng)能夠強(qiáng)化金屬型材的表面性能及用于制備自負(fù)載催化劑催化降解環(huán)境污染物的新興技術(shù)。得益于在等離子體電解氧化過程中氧化膜/電解液界面上氣體等離子體放電作用,理論上通過控制生長過程中的電參數(shù)和電解液成份,可以將基體和電解液中的任何元素以膜組分或者摻雜原子的形式制備到膜層當(dāng)中去,它因有望被用于增強(qiáng)工具器械及緩解環(huán)境污染等領(lǐng)域而受到廣泛的關(guān)注和研究。當(dāng)前對(duì)該項(xiàng)技術(shù)的研究主要集中在三個(gè)方面:（a）認(rèn)識(shí)等離子體電解氧化膜生長過程的科學(xué)原理,即電解液、金屬和外加電場(chǎng)對(duì)生長過程的控制;（b）開發(fā)金屬表面強(qiáng)化的工藝研究;（c）光催化降解環(huán)境污染物的新工藝研究。本論文中我們?cè)阡X、鎂、鈦表面制備了等離子體電解氧化膜,并采用先進(jìn)電子顯微學(xué)表征手段（掃描電鏡和透射電鏡）對(duì)等離子體電解氧化膜的生長機(jī)制進(jìn)行了系統(tǒng)地研究,并由此提出了創(chuàng)新性理論模型來描述了氧化膜生長過程,同時(shí)從理論和實(shí)驗(yàn)上驗(yàn)證了“高壓陽極氧化”膜具有優(yōu)異光催化活性。具體如下:1)在純鋁表面制備了等離子體電解氧化膜,并系統(tǒng)地表征了氧化膜中的孔道在外層、內(nèi)層、非晶態(tài)氧化...

【文章頁數(shù)】：140 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖1-1等離子體電解氧化膜的基本信息

氧化膜的幾百納米增加到毫米量級(jí)的厚度[7]。因此這項(xiàng)技術(shù)一直以來都被為解決鋁、鎂、鈦合金表面硬度、耐磨、耐腐蝕等性能的主要手段[8-12]。體電解氧化技術(shù)還具有工藝簡單，處理效率高，工藝成本低，無污染等特制得的陶瓷膜除具有一般結(jié)構(gòu)陶瓷膜的耐磨、耐蝕、耐高溫等優(yōu)異特點(diǎn)外以根據(jù)不同的....

圖1-2(a)-Al2O3和(b)γ-Al2O3的單胞

北京工業(yè)大學(xué)理學(xué)博士學(xué)位論文不確定的。在這個(gè)六角晶格單胞中a=b=5.531,c=13.55=120°[14]。γ型氧化鋁不溶于水，能溶于強(qiáng)酸或強(qiáng)堿溶液，將全部轉(zhuǎn)化為型氧化鋁。γ型氧化鋁是一種多孔性物質(zhì)，每克百平方米，活性高吸附能力強(qiáng)。此外，γ-....

圖1-3(a)非晶態(tài)Al2O3的結(jié)構(gòu)模型，(b)非晶氧化鋁結(jié)構(gòu)的徑向分布函數(shù)和(c)結(jié)構(gòu)因子，(d)非晶態(tài)Al2O3的局域原子排布

圖1-3(a)非晶態(tài)Al2O3的結(jié)構(gòu)模型，(b)非晶氧化鋁結(jié)構(gòu)的徑向分布函數(shù)和(c)結(jié)構(gòu)因子，(d)非晶態(tài)Al2O3的局域原子排布。圖中黑白球分別代表Al和O原子[19]。Fig.1-3(a)AmorphousmodelstructureofAl2....

圖1-4二氧化鈦銳鈦礦結(jié)構(gòu)(a)和金紅石結(jié)構(gòu)(b)的兩種單胞

(a)和金紅石結(jié)構(gòu)(b)的兩種單胞。淡藍(lán)色Ti4+和O2離子[24]。eTiO2(a)andrutileTiO2(b).Largelight-blareTi4+andO2ions,respectively[24].些特殊性質(zhì)，使其作為新興環(huán)境治理示了與二氧....

本文編號(hào)：4035832