C/C復(fù)合材料超高溫氧化防護(hù)問(wèn)題嚴(yán)重限制了高超聲速飛行器的快速發(fā)展。C/C復(fù)合材料高溫氧化防護(hù)措施主要有兩種,即涂層技術(shù)和基體改性技術(shù)。綜述了SiC陶瓷改性C/C復(fù)合材料以及ZrC、ZrB₂、HfC等超高溫陶瓷改性C/C復(fù)合材料的研究現(xiàn)狀,并對(duì)C/C復(fù)合材料高溫抗氧化研究方向提出了一些見(jiàn)解。

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圖２ＰＩＰ－Ｃ／Ｃ預(yù)制體反應(yīng)熔滲Ｓｉ０．９Ｚｒ０．１后制備Ｃ／Ｃ－ＳｉＣ復(fù)合材料的組織形貌及能譜圖［２８］Ｆｉｇ．２ＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄＥＤＳａｎａｌｙｓｉｓｏｆｔｈｅＣ／Ｃ－ＳｉＣ

３超高溫陶瓷基體改性Ｃ／Ｃ復(fù)合材料Ｃ／Ｃ－ＳｉＣ復(fù)合材料使用溫度低，長(zhǎng)時(shí)間使用的最高溫度為１６５０℃，短時(shí)間使用的最高溫度也僅為１８００℃，已不能滿足２０００℃以上高超音速飛行器發(fā)展的需要，所以需選用超高溫陶瓷改性碳陶復(fù)合材料來(lái)作為超高溫?zé)岱雷o(hù)部件［３］。耐超高溫陶瓷主要包括難熔....

圖３ＣＶＩ－Ｃ／Ｃ預(yù)制體反應(yīng)熔滲制備Ｃ／Ｃ－ＳｉＣ復(fù)合材料的組織形貌及能譜圖［２８］Ｆｉｇ．３ＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄＥＤＳａｎａｌｙｓｉｓｏｆｔｈｅＣ／Ｃ－ＳｉＣ

。耐超高溫陶瓷具有高比強(qiáng)度、高熔點(diǎn)、優(yōu)異的高溫抗氧化性能以圖２ＰＩＰ－Ｃ／Ｃ預(yù)制體反應(yīng)熔滲Ｓｉ０．９Ｚｒ０．１后制備Ｃ／Ｃ－ＳｉＣ復(fù)合材料的組織形貌及能譜圖［２８］Ｆｉｇ．２ＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄＥＤＳａｎａｌｙｓｉｓｏｆｔｈｅＣ／Ｃ－ＳｉＣｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓｐｒｏ....

圖５浸漬裂解后Ｃ／Ｃ－ＺｒＣ－ＳｉＣ復(fù)合材料的微觀形貌［３７］Ｆｉｇ．５ＭｉｃｒｏｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙｏｆＣ／Ｃ－ＺｒＣ－ＳｉＣｍａｔｅｒｉａｌｓ［３７］

驅(qū)體。西安航天復(fù)合材料研究所、西北工業(yè)大學(xué)和中科院過(guò)程所等研究單位開(kāi)始采用“ＣＶＩ＋ＰＩＰ”混合工藝制備Ｃ／Ｃ－ＳｉＣ－ＵＨＴＣ復(fù)合材料［３２－３４］。崔紅、閆聯(lián)生等［３５－３７］采用“ＣＶＩ＋ＰＩＰ”混合工藝分別制備了Ｃ／Ｃ－ＳｉＣ－ＺｒＢ２和Ｃ／Ｃ－ＺｒＣ－ＳｉＣ多元炭陶復(fù)合....

圖２ＰＩＰ－Ｃ／Ｃ預(yù)制體反應(yīng)熔滲Ｓｉ０．９Ｚｒ０．１后制備Ｃ／Ｃ－ＳｉＣ復(fù)合材料的組織形貌及能譜圖［２８］Ｆｉｇ．２ＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄＥＤＳａｎａｌｙｓｉｓｏｆｔｈｅＣ／Ｃ－ＳｉＣ

３超高溫陶瓷基體改性Ｃ／Ｃ復(fù)合材料Ｃ／Ｃ－ＳｉＣ復(fù)合材料使用溫度低，長(zhǎng)時(shí)間使用的最高溫度為１６５０℃，短時(shí)間使用的最高溫度也僅為１８００℃，已不能滿足２０００℃以上高超音速飛行器發(fā)展的需要，所以需選用超高溫陶瓷改性碳陶復(fù)合材料來(lái)作為超高溫?zé)岱雷o(hù)部件［３］。耐超高溫陶瓷主要包括難熔....

本文編號(hào)：4027921