本文對(duì)在拋光銅襯底上通過(guò)填隙法制備的高質(zhì)量石墨烯薄膜進(jìn)行了詳細(xì)研究。在電化學(xué)機(jī)械拋光后的銅襯底上制備石墨烯晶疇,降低了晶疇的成核密度。利用光學(xué)顯微鏡和掃描電子顯微鏡對(duì)拋光銅襯底和未拋光銅襯底上制備的石墨烯晶疇進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試結(jié)果表明,銅襯底的表面形態(tài)對(duì)于降低石墨烯的成核密度,增大石墨烯晶疇的尺寸起到了至關(guān)重要的作用。利用拉曼面掃描證明了所制備的石墨烯晶疇為單層、均勻的石墨烯晶疇。然后,通過(guò)填隙法在拋光銅襯底上制備出由大尺寸單層的六邊形石墨烯晶疇組成的石墨烯連續(xù)薄膜,并且通過(guò)流程示意圖解釋了填隙法制備高質(zhì)量石墨烯薄膜的過(guò)程。本文所提出的在拋光銅襯底上通過(guò)填隙法制備石墨烯薄膜的技術(shù),能夠有效提高石墨烯薄膜的質(zhì)量,進(jìn)而有效改善石墨烯基電子器件的性能。

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【部分圖文】：

為了進(jìn)一步確定銅襯底表面的粗糙程度與石墨烯晶疇的形態(tài)和密度有關(guān),在電化學(xué)機(jī)械拋光后的銅襯底表面進(jìn)行劃刻,如圖2(a)所示為劃刻后的拋光銅襯底的光學(xué)照片,虛線為劃刻區(qū)域。將劃刻后的銅襯底放入生長(zhǎng)室,在相同條件下制備石墨烯晶疇,利用SEM對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試結(jié)果如圖2(b)所示。能夠....

圖1(a)未拋光、(b)機(jī)械拋光和(c)電化學(xué)機(jī)械拋光銅片的光學(xué)顯微鏡圖像;(d)未拋光和(f)拋光銅襯底上制備的石墨烯晶疇轉(zhuǎn)移到SiO2襯底之后的光學(xué)顯微鏡圖像;(e)放大的雙層石墨烯晶疇的光學(xué)顯微鏡圖像在石墨烯的制備過(guò)程中,生長(zhǎng)溫度、生長(zhǎng)時(shí)間、氣體流量和氣體分壓等生長(zhǎng)參數(shù)對(duì)....

在石墨烯的制備過(guò)程中,生長(zhǎng)溫度、生長(zhǎng)時(shí)間、氣體流量和氣體分壓等生長(zhǎng)參數(shù)對(duì)石墨烯晶疇的尺寸和形狀有著重要的影響[8,29]。經(jīng)過(guò)一系列的生長(zhǎng)參數(shù)優(yōu)化實(shí)驗(yàn),在拋光銅襯底上制備出六邊形的石墨烯晶疇。圖3(a)、3(b)和3(c)分別展示了制備時(shí)間為60min時(shí)制備的六邊形石墨烯晶疇的....

圖3六角形石墨烯晶疇的(a)光學(xué)顯微鏡照片、(b)掃描電子顯微鏡照片和(c)原子力顯微鏡照片;(d)2D峰和G峰比值的拉曼面掃描測(cè)試;(e)典型的石墨烯晶疇的拉曼光譜當(dāng)延長(zhǎng)生長(zhǎng)時(shí)間至90min時(shí),石墨烯晶疇的尺寸從50μm增大到大約300μm,如圖4(a)和4(b)所示,....

本文編號(hào)：4011967