采用原位共生長化學氣相沉積法,以Co3O4、Mo O₃、Se粉末為前驅(qū)物, 710℃下在SiO₂襯底上生長摻鈷MoSe₂納米薄片,分析討論氫氣含量對其生長及調(diào)節(jié)機理的影響.表面形貌分析表明,氫氣的引入促進了成核所需的氧硒金屬化合物以及橫向生長中需要的Co Mo Se化合物分子的生成;AFM（AtomicForce Microscope）結果表明氫氣有利于生長單層二維超薄摻鈷MoSe₂.隨著Co3O4前驅(qū)物用量的增加,樣品的拉曼和PL（Photoluminescence）譜圖分別表現(xiàn)出紅移和藍移現(xiàn)象,帶隙實現(xiàn)從1.52—1.57 e V的調(diào)制. XPS （X-ray photoelectron spectroscopy）結果分析得到Co的元素組分比為4.4%.通過SQUID-VSM （Superconducting QUantum Interference Device）和器件電學測試分析了樣品的磁電特性,結果表明Co摻入后Mo Se2由抗磁性變?yōu)檐洿判?背柵FETs器件的閾值電壓比純Mo Se2向正...

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