本文突破傳統(tǒng)調(diào)控機制的束縛,將石墨烯引入到常規(guī)介質(zhì)中來構(gòu)建一種新型復合結(jié)構(gòu)特異材料,這種新型復合材料在太赫茲(THz)波段電磁色散關(guān)系由于石墨烯的加入使得決定能帶結(jié)構(gòu)的色散關(guān)系必將發(fā)生改變。通過電控或者摻雜的方式來調(diào)節(jié)石墨烯的費米能,從而改變石墨烯的電導率,就能改變種新型復合材料的能帶結(jié)構(gòu)�；陔姶胚吔鐥l件麥克斯韋(Maxwell)方程,開發(fā)了一種計算電磁波傳播的新的電導率傳輸特征矩陣,與傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)移矩陣方法相比,該方法可用于計算分層介質(zhì)中任何位置的任何層的光吸收。通過使用這種新方法,研究了石墨烯在電磁特異材料中的太赫茲吸收特性。結(jié)果表明,由于電磁特異材料缺陷層中光子的強烈局域作用,該結(jié)構(gòu)可以獲得理想的太赫茲吸收。通過控制石墨烯的化學勢,太赫茲吸收可以從0%持續(xù)調(diào)節(jié)到100%。通過調(diào)整入射角或材料組分的周期數(shù),可以控制最大太赫茲吸收。通過改變組成電磁特異材料的層的中心波長或兩個石墨烯組成諧振腔的腔長寬度大小,可以調(diào)整太赫茲吸收峰的位置。這些特性在通信、光電探測器等方面有潛在應用。

【文章頁數(shù)】：52 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－２石墨烯的能帶結(jié)構(gòu)??

第１章緒論??子設備開發(fā)的基矗??錢Ｉ＇??圖１－２石墨烯的能帶結(jié)構(gòu)??１．２．３石墨稀光電學性質(zhì)??石墨烯上其電子自由移動，從而使石墨烯具有獨特優(yōu)異的導電性。常溫下，??即使相鄰的碳原子發(fā)生碰撞，由于原子之間的強力，它們的電子也幾乎不會受到??干擾。在石墨烯中不容易發(fā)生電子散射....

圖２－〗界面結(jié)構(gòu)平面示意圖（其中金色小球為汾，紅色小球為Ｏ）?［５１］??

硅、薄的沿０２應變區(qū)以及余下的有??理想化學配比［５Ｄ］。以及的襯底，工藝上使用的最多的是單晶硅，其次自然界中??及０２存在晶態(tài)、非晶態(tài)。如下圖為及／及０２?（及〇２／及）界面結(jié)構(gòu)平面圖［５１］。??＞?１?Ｍ?ｔ?Ｉ?１１．?＞??？?＾?ｉ?１?ｆ?Ｍ?ｆ?＼?ｔ一??蠢，、....

圖２－３?（ａ）為５７晶體中四面體結(jié)構(gòu)（ｂ）為晶胞的原子結(jié)構(gòu)圖??

第２章Ｓｉ／Ｓｆ０２?（?Ｓ／０２?／Ｓ／?）界面結(jié)構(gòu)??２．１．１?Ｓ的結(jié)構(gòu)特性??及作為ＩＶ族元素，如表２－２為及晶格參數(shù)。??表２－２?５７晶格參數(shù)???晶格常數(shù)?鍵長Ｓｉ－Ｓｉ?鍵角Ｓｉ－Ｓｉ－Ｓｉ??ａ＝ｂ＝ｃ＝０．５４３?；?ａ?－?Ｐ?＝?ｙ?－?９０?０．２３５ｎ....

圖２－４?ａ－汾（９２中典型四面體的鍵角和原子間距??

第２章汾／及０２?（汾＜９２?／汾）界面結(jié)構(gòu)??布，并且各個四面體不相同。鍵角和原子間的距離的四面體ａ－沿０２如圖２．４所示。??圖２－４?ａ－汾（９２中典型四面體的鍵角和原子間距??根據(jù)光吸收研宄，ｃ－５Ｖ＜９２或石英）對波長在１４５ｎｍ至５０００ｎｍ之間［５３］。根據(jù)??非晶....

本文編號：3959185