隨著電子技術(shù)快速的發(fā)展,聚合物材料自身較低的熱導(dǎo)率已不能滿足現(xiàn)代電子器件的散熱需求,因此提高聚合物熱導(dǎo)率,實(shí)現(xiàn)高效率的傳熱具有重要意義。六方氮化硼(h-BN)具有良好的高電擊穿強(qiáng)度,導(dǎo)熱性能、介電性能、低吸濕率、高溫耐氧化等諸多特性,是制備低介電常數(shù)、低介電損耗和高導(dǎo)熱聚合物的理想填料。本文分別從目前制備BNNSs的主要方法及提高BN復(fù)合材料熱導(dǎo)率的不同思路兩個(gè)方面,綜述了以六方氮化硼(h-BN)為填料的導(dǎo)熱聚合物復(fù)合材料的研究現(xiàn)狀。

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【部分圖文】：

圖1帶有低壓系統(tǒng)的BNNTs水平臥式示意圖[12]

范明聰?shù)萚11]基于自蔓延高溫合成法（SHS）獲得碳化硼（B4C），將其作為前驅(qū)體，利用間歇式推舟-CVD法制備出竹節(jié)狀氮化硼納米管（BNNTs），合成的BNNTs徑向尺寸為150～450nm、軸向尺寸為5μm，純度較高；實(shí)驗(yàn)過(guò)程中采用的B4C具有粒徑小、成本低等特點(diǎn)，用自主開發(fā)....

圖2蔗糖輔助的機(jī)械剝離流程[19]

Lei等[18]以球磨法為基礎(chǔ)并借助尿素輔助的機(jī)械剝離方式，成功制備了厚度為2.5nm、長(zhǎng)度和寬度小于100nm的BNNSs，通過(guò)FTIR、XPS光譜和TG分析發(fā)現(xiàn)，此方法可將NH2基團(tuán)附著到hBN表面的B位上，有助于B和N邊緣鍵的形成，從而使片狀hBN具有較好的親水性。Chen....

圖3磁場(chǎng)下控制PVDF中BNNSs取向的實(shí)驗(yàn)裝置[25]

通過(guò)對(duì)hBN進(jìn)行表面磁性化，借助磁場(chǎng)的外力使hBN具有垂直或水平取向是目前常見的一種方式。Cho等[25]通過(guò)溶劑熱合成法和超聲處理的混合技術(shù)剝離了層數(shù)較少的BNNSs，并在強(qiáng)磁場(chǎng)的作用下將其與聚偏二氟乙烯（PVDF）基體相結(jié)合，成功控制了BNNSs填料的取向，制備了具有高導(dǎo)熱性....

圖4PCL/hBN復(fù)合材料制備的示意圖[32]

Wu等[32]采用冰模板法制備了三維結(jié)構(gòu)的hBN，基于微波輔助技術(shù)與聚已內(nèi)酯（PCL）相結(jié)合成功獲得hBN/PCL復(fù)合材料（制備過(guò)程如圖4所示），并建立了多組不同取向的兩相模型。結(jié)果表明，在hBN的體積含量為13.41%時(shí)，hBN/PCL復(fù)合材料在hBN填料取向?yàn)閦方向和x方向的....

本文編號(hào)：3939082