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電學方法調(diào)控單分子薄膜發(fā)光性質(zhì)

發(fā)布時間:2024-03-26 00:13
  二維材料已經(jīng)在多個領(lǐng)域得到應(yīng)用,其中過渡金屬硫化物由于其層間較弱的范德華力、層內(nèi)較強的共價鍵,通過微機械剝離法可以獲得過渡金屬硫化物單分子層或多層薄膜。因其具有帶隙寬度層數(shù)依賴、強光致發(fā)光和自旋-能谷耦合特性等優(yōu)勢而有望廣泛的應(yīng)用于光電領(lǐng)域。要利用它的優(yōu)異特性實現(xiàn)應(yīng)用,必然涉及到對其光電性質(zhì)的調(diào)控,其中一種調(diào)控方式為引入電場。然而,前人的工作中引入調(diào)控電場的方向多為垂直于薄膜平面,有關(guān)橫向電場的調(diào)控還鮮有報道,而電場方向在調(diào)控過程中對于厚度為納米級的單分子薄膜有極大影響;谝陨媳尘,本論文開展了電學方法調(diào)控WS2單分子薄膜光致發(fā)光性質(zhì)的研究工作。本文將微機械剝離法制備的WS2單層分子薄膜通過干法轉(zhuǎn)移至微周期電極結(jié)構(gòu)上,研究其光致發(fā)光信號在施加不同電壓情況下的變化。主要的研究結(jié)果如下:1、將實驗數(shù)據(jù)與仿真計算結(jié)合,證明了30μm和10μm尺寸的電極結(jié)構(gòu)與單分子層WS2薄膜組裝后,原來的電場分布會發(fā)生改變。單層WS2受到的電場作用會依賴于這兩者的相對空間位置,和正負電極的取向。最終,單分子薄膜的熒光信...

【文章頁數(shù)】:53 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

圖1.2(a)CVD合成WS2薄膜裝置示意圖(b)單層WS2薄膜光學顯微鏡照片

圖1.2(a)CVD合成WS2薄膜裝置示意圖(b)單層WS2薄膜光學顯微鏡照片

華東師范大學碩士學位論文3傳統(tǒng)工藝能制備多種材料的薄膜,但直到Li等人報道在1000°C的甲烷流動下,通過CVD能在銅箔上合成大面積單層石墨烯之后才被廣泛應(yīng)用于二維材料合成[20]。其優(yōu)勢在于可以在絕緣襯底上合成面積大厚度均勻結(jié)晶度好的薄膜,易于量產(chǎn),缺點是在沉積時可能生成復(fù)雜的....


圖1.3(a)CVD合成的單層WS2的熒光光譜和(b)拉曼光譜

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華東師范大學碩士學位論文4光致發(fā)光(Photoluminescence,PL)是眾多發(fā)光形式中極為重要的一種,是材料被激光激發(fā),吸收光子,繼而馳豫,最后輻射新光子的過程。光致發(fā)光過程中激光能量需大于材料帶隙,具體是一個光子被吸收后導(dǎo)帶和價帶中分別形成電子和空穴,兩者重組發(fā)射光子。....


圖1.4(a)單層WS2的光學顯微鏡圖像和(b)AFM圖像(c)沿指示綠線路徑的AFM高度輪廓(d)T=300K,體WS2(紅線)和單層WS2(黑色虛線)的拉曼光譜,插圖展示的是不同位置發(fā)生的應(yīng)變引起單層的拉曼位移

圖1.4(a)單層WS2的光學顯微鏡圖像和(b)AFM圖像(c)沿指示綠線路徑的AFM高度輪廓(d)T=300K,體WS2(紅線)和單層WS2(黑色虛線)的拉曼光譜,插圖展示的是不同位置發(fā)生的應(yīng)變引起單層的拉曼位移

華東師范大學碩士學位論文51928年印度物理學家C.V.Raman發(fā)現(xiàn)了拉曼散射,于是以拉曼散射為原理的拉曼光譜(Raman)表征技術(shù)成為了材料分析的重要基礎(chǔ)手段。原理拉曼散射是分子對光子的非彈性散射,該技術(shù)具有快速靈敏度高無需接觸的優(yōu)勢。拉曼光譜中包含拉曼峰強、峰位以及峰寬三種....


圖1.5計算得出的單層五層(a)eWS2的能帶結(jié)構(gòu),參考零能級設(shè)置在價帶最高點K(d)

圖1.5計算得出的單層五層(a)eWS2的能帶結(jié)構(gòu),參考零能級設(shè)置在價帶最高點K(d)

華東師范大學碩士學位論文61.2.2能帶結(jié)構(gòu)與發(fā)光性能部分TMDC材料減薄至單層或少層時,其能帶結(jié)構(gòu)和禁帶寬度也會改變。例如體材料WS2是間接帶隙半導(dǎo)體,逐漸減薄為二維薄膜時轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋丁H鐖D1.5,密度泛函理論計算的WS2薄膜的能帶結(jié)構(gòu),實驗與計算相吻合。布里淵區(qū)中心區(qū)域的價....



本文編號:3939067

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