通過在氧化銦錫(ITO)薄膜上蒸鍍金屬Al,獲得ITO/Al復(fù)合透明導(dǎo)電薄膜,研究了不同退火條件下不同Al金屬層厚度的復(fù)合透明導(dǎo)電薄膜的方塊電阻和在紫外波段的透過率。結(jié)果表明,在ITO薄膜上蒸鍍2 nm厚的Al層,經(jīng)550℃退火后,金屬Al在ITO薄膜上形成粒徑約為10 nm的顆粒,增加了薄膜表面的粗糙度,得到的復(fù)合透明導(dǎo)電薄膜的方塊電阻和在紫外波段透過率的綜合性能最佳,在360～410 nm波長的平均透過率大于95%,且方塊電阻為22.8Ω/□。采用ITO/Al(100 nm/2 nm)復(fù)合透明導(dǎo)電薄膜制備了390 nm紫外發(fā)光二極管(LED)芯片(尺寸為325μm×275μm),與用ITO薄膜制備的LED芯片相比,其光電轉(zhuǎn)換效率提升了約3%,飽和電流提升了15.00%,飽和光功率提升了15.04%。研究結(jié)果表明,采用ITO/Al復(fù)合透明導(dǎo)電薄膜可有效提升紫外LED的光電性能。

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【文章目錄】：
0 引言
1 ITO/Al薄膜與LED的制備
2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3931286