通過在氧化銦錫(ITO)薄膜上蒸鍍金屬Al,獲得ITO/Al復合透明導電薄膜,研究了不同退火條件下不同Al金屬層厚度的復合透明導電薄膜的方塊電阻和在紫外波段的透過率。結(jié)果表明,在ITO薄膜上蒸鍍2 nm厚的Al層,經(jīng)550℃退火后,金屬Al在ITO薄膜上形成粒徑約為10 nm的顆粒,增加了薄膜表面的粗糙度,得到的復合透明導電薄膜的方塊電阻和在紫外波段透過率的綜合性能最佳,在360～410 nm波長的平均透過率大于95%,且方塊電阻為22.8Ω/□。采用ITO/Al(100 nm/2 nm)復合透明導電薄膜制備了390 nm紫外發(fā)光二極管(LED)芯片(尺寸為325μm×275μm),與用ITO薄膜制備的LED芯片相比,其光電轉(zhuǎn)換效率提升了約3%,飽和電流提升了15.00%,飽和光功率提升了15.04%。研究結(jié)果表明,采用ITO/Al復合透明導電薄膜可有效提升紫外LED的光電性能。

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【文章目錄】：
0 引言
1 ITO/Al薄膜與LED的制備
2 實驗結(jié)果與分析
3 結(jié)論



本文編號：3931286