納米三棱柱粒子表面等離激元性質(zhì)的理論模擬研究
【文章頁數(shù)】:74 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖2.1Yee離散網(wǎng)格示意圖
匠蹋?傭?梢栽謔奔瀋系??蠼猓??恍枰???矩陣求逆運算17。與前述的Mie理論以及離散偶極近似方法不同,F(xiàn)DTD方法求解的是時域麥克斯韋方程組。由于作為激發(fā)源的光脈沖具有有限的時間寬度,因此激發(fā)光實際上并不是單色的,而是覆蓋了一個較寬的頻率范圍。由于麥克斯韋方程組是線性的,所以....
圖3.1(a)硅納米三棱柱二聚體的光散射過程示意圖
20偏振。圖3.1b中展示了硅納米三棱柱粒子單體、二聚體、四聚體和六聚體結(jié)構(gòu)的頂視圖。在本研究中,納米三棱柱粒子的高度h和底邊邊長d均固定為240nm。二聚體、四聚體和六聚體結(jié)構(gòu)中納米三棱柱粒子之間的距離(即相對的兩個三角形頂點的間隙)g大小可調(diào)。硅材料的介電常數(shù)來自文獻報道的實....
圖3.2a散射光譜中三個共振峰所對應(yīng)的電磁模式激發(fā)進行歸屬,我們進
21(41013m2);685nm譜峰的強度次之,約為825nm譜峰強度的75%左右;575nm譜峰的強度最低,僅為825nm譜峰強度的25%左右。這三個散射共振譜峰的強度之間的差別,源于譜峰所對應(yīng)的不同電磁模式激發(fā)。為了對圖3.2a散射光譜中三個共振峰所對應(yīng)的電磁模式激發(fā)進行歸....
圖3.3為不同粒子間距(g)情況(g=200nm,100nm,50nm,20nm)下硅納米三棱柱
223.3.2硅納米三棱柱二聚體的散射截面從本小節(jié)開始我們來研究硅納米三棱柱多聚體結(jié)構(gòu)中電磁耦合效應(yīng)對納米粒子光散射性質(zhì)的影響�?紤]到對于我們所關(guān)注的光波長范圍,電四極模式對應(yīng)的光散射共振峰的強度明顯弱于磁偶極模式和電偶極模式所對應(yīng)的光散射共振峰,因此在接下來的討論中我們主要關(guān)注....
本文編號:3890580
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