磁性摻雜的Sb-Te二元化合物的單晶生長和物性研究
發(fā)布時間:2024-01-30 02:49
拓?fù)洳牧献鳛楫?dāng)今凝聚態(tài)物理領(lǐng)域熱門的一種新型量子功能材料,在最近幾年受到了越來越廣泛地關(guān)注,并被拿來廣泛研究,例如拓?fù)浣^緣體、外爾半金屬等。其中一些新奇的物理現(xiàn)象也在該類材料的磁性摻雜中被發(fā)現(xiàn),并用于奇特物理現(xiàn)象的研究。比如內(nèi)部為絕緣態(tài),表面為金屬態(tài)的拓?fù)浣^緣體,電子高度自旋和受時間反演對稱保護的拓?fù)浔砻鎽B(tài)使其成為研究自旋電子學(xué)的理想材料。另外磁性摻雜的拓?fù)浞瞧接共牧贤菀桩a(chǎn)生本征的鐵磁性,這對于破壞其時間反演對稱性并打開表面態(tài)能帶,觀察反;魻栃(yīng)(AHE),進而實現(xiàn)量子反;魻栃(yīng)(QAHE)具有重要意義,也為新奇的物理現(xiàn)象的探究以及實現(xiàn)無耗散的邊緣態(tài)提供了理想材料。近些年,在拓?fù)洳牧现?關(guān)于Sb-Te二元化合物體系也有廣泛的研究,其中包括磁性摻雜的Sb2Te3以及Sb2Te,對于Sb4Te3的單晶生長以及磁性摻雜后的基本物性缺鮮有報道。本文直接利用緩慢降溫法對幾種磁性摻雜的Sb-Te二元化合物進行高質(zhì)量單晶生長的探索,并對生長出的單晶進行結(jié)構(gòu)表征以及對磁性、電輸運性質(zhì)的研究,相關(guān)的工作主要有:1.首先通過改變合成原料和摸索生長程序成功獲得高質(zhì)量的Sb4-xCrxTe3單晶樣品。...
【文章頁數(shù)】:41 頁
【學(xué)位級別】:碩士
本文編號:3889351
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圖1.1(a)量子霍爾效應(yīng)電壓測量示意圖,(b)量子霍爾效應(yīng)和量子自旋霍爾效應(yīng)的邊緣態(tài)示意圖
圖1.2拓?fù)湓趲缀紊系母拍?/p>
圖1.3為導(dǎo)體和絕緣體的能帶示意圖
圖2.2(a)磁場平行于樣品c軸時,Sb4-xCrxTe3(x=0.25%,0.5%,0.75%,1%)的磁化率隨溫度變化曲線,(b)當(dāng)x﹥0.5%時磁化率倒數(shù)1/(χ-χ0)隨溫度變化曲線,(c)當(dāng)T=3K且磁場
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