磁性摻雜的Sb-Te二元化合物的單晶生長(zhǎng)和物性研究
發(fā)布時(shí)間:2024-01-30 02:49
拓?fù)洳牧献鳛楫?dāng)今凝聚態(tài)物理領(lǐng)域熱門(mén)的一種新型量子功能材料,在最近幾年受到了越來(lái)越廣泛地關(guān)注,并被拿來(lái)廣泛研究,例如拓?fù)浣^緣體、外爾半金屬等。其中一些新奇的物理現(xiàn)象也在該類(lèi)材料的磁性摻雜中被發(fā)現(xiàn),并用于奇特物理現(xiàn)象的研究。比如內(nèi)部為絕緣態(tài),表面為金屬態(tài)的拓?fù)浣^緣體,電子高度自旋和受時(shí)間反演對(duì)稱(chēng)保護(hù)的拓?fù)浔砻鎽B(tài)使其成為研究自旋電子學(xué)的理想材料。另外磁性摻雜的拓?fù)浞瞧接共牧贤菀桩a(chǎn)生本征的鐵磁性,這對(duì)于破壞其時(shí)間反演對(duì)稱(chēng)性并打開(kāi)表面態(tài)能帶,觀察反;魻栃(yīng)(AHE),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)量子反常霍爾效應(yīng)(QAHE)具有重要意義,也為新奇的物理現(xiàn)象的探究以及實(shí)現(xiàn)無(wú)耗散的邊緣態(tài)提供了理想材料。近些年,在拓?fù)洳牧现?關(guān)于Sb-Te二元化合物體系也有廣泛的研究,其中包括磁性摻雜的Sb2Te3以及Sb2Te,對(duì)于Sb4Te3的單晶生長(zhǎng)以及磁性摻雜后的基本物性缺鮮有報(bào)道。本文直接利用緩慢降溫法對(duì)幾種磁性摻雜的Sb-Te二元化合物進(jìn)行高質(zhì)量單晶生長(zhǎng)的探索,并對(duì)生長(zhǎng)出的單晶進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征以及對(duì)磁性、電輸運(yùn)性質(zhì)的研究,相關(guān)的工作主要有:1.首先通過(guò)改變合成原料和摸索生長(zhǎng)程序成功獲得高質(zhì)量的Sb4-xCrxTe3單晶樣品。...
【文章頁(yè)數(shù)】:41 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
本文編號(hào):3889351
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圖1.1(a)量子霍爾效應(yīng)電壓測(cè)量示意圖,(b)量子霍爾效應(yīng)和量子自旋霍爾效應(yīng)的邊緣態(tài)示意圖
圖1.2拓?fù)湓趲缀紊系母拍?/p>
圖1.3為導(dǎo)體和絕緣體的能帶示意圖
圖2.2(a)磁場(chǎng)平行于樣品c軸時(shí),Sb4-xCrxTe3(x=0.25%,0.5%,0.75%,1%)的磁化率隨溫度變化曲線,(b)當(dāng)x﹥0.5%時(shí)磁化率倒數(shù)1/(χ-χ0)隨溫度變化曲線,(c)當(dāng)T=3K且磁場(chǎng)
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