本論文通過(guò)化學(xué)刻蝕法,在Si(100)晶向表面制備了Si納米線陣列。隨后采用SILAR方法在制備出的Si納米線陣列表面生長(zhǎng)了一層連續(xù)致密的Cd S薄膜。在Ar氣環(huán)境下在進(jìn)樣室腔體內(nèi)對(duì)樣品進(jìn)了不同溫度的退火處理,運(yùn)用DX-2000的X射線衍射儀(X-ray diffractometer,XRD)對(duì)制備的薄膜進(jìn)行晶相結(jié)構(gòu)分析,并用型號(hào)為UV-3600的紫外-可見(jiàn)-紅外分光光度計(jì)對(duì)樣品的反射光譜進(jìn)行了測(cè)試,利用型號(hào)為Zeiss Super40的場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡表征了薄膜表面形貌并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行了EDS分析。此外,Cd S/Si納米異質(zhì)結(jié)的室溫光致發(fā)光(PL)譜進(jìn)行了系統(tǒng)測(cè)量與分析。通過(guò)制作雙面電極,制備了結(jié)構(gòu)為Ag/Cd S/Si納米線/Si基底/Al的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的原型器件,進(jìn)一步對(duì)其光伏性能進(jìn)行了測(cè)試與分析。研究結(jié)果表明:由SILAR方法制備的Cd S薄膜結(jié)構(gòu)為亞穩(wěn)態(tài)的立方晶相,當(dāng)退火溫度達(dá)到500℃時(shí),Cd S薄膜呈現(xiàn)出相對(duì)穩(wěn)定的六方晶向,經(jīng)過(guò)退火處理后Cd S晶粒的尺寸變大,但仍是納米級(jí)。同時(shí)通過(guò)改變不同循環(huán)次數(shù)也會(huì)對(duì)Cd S薄膜晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行一定調(diào)控,進(jìn)而影響其性能。隨著循環(huán)次數(shù)的增加...

【文章頁(yè)數(shù)】：59 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 納米結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池
        1.1.1 納米結(jié)構(gòu)的光伏性能
        1.1.2 納米薄膜太陽(yáng)能電池
        1.1.3 納米線與納米管太陽(yáng)能電池
        1.1.4 納米型染料敏化太陽(yáng)能電池
        1.1.5 量子點(diǎn)敏化型太陽(yáng)能電池
    1.2 Si基型太陽(yáng)能電池概述
    1.3 Si基太陽(yáng)能電池中陷光結(jié)構(gòu)的研究
    1.4 課題選題思想和內(nèi)容
第二章 CdS/Si納米異質(zhì)結(jié)陣列制備與表征
    2.1 硅納米線的制備
    2.2 CdS薄膜簡(jiǎn)介
    2.3 CdS薄膜制備方法
    2.4 SILAR法薄膜的生長(zhǎng)原理
    2.5 SILAR法制備CdS/Si納米異質(zhì)結(jié)
    2.6 CdS/Si異質(zhì)結(jié)的SEM表征
    2.7 CdS/Si異質(zhì)結(jié)的XRD表征
第三章 CdS/Si納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)陣列的光學(xué)特性研究
    3.1 引言
    3.2 CdS/Si納米異質(zhì)結(jié)的光吸收性能
        3.2.1 不同循環(huán)次數(shù)光吸收性能
        3.2.2 帶隙值計(jì)算
        3.2.3 不同退火溫度光吸收性能
    3.3 CdS/Si納米異質(zhì)結(jié)的光致發(fā)光
第四章 CdS/Si納米異質(zhì)結(jié)的光電性能研究
    4.1 電極制備
    4.2 CdS/Si納米異質(zhì)結(jié)的電學(xué)特性
        4.2.1 不同循環(huán)次數(shù)對(duì)I-V性能影響
        4.2.2 退火對(duì)電學(xué)性能的影響
    4.3 CdS/Si納米異質(zhì)結(jié)納米異質(zhì)結(jié)的光伏特性
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文目錄



本文編號(hào)：3889242