本論文通過化學刻蝕法,在Si(100)晶向表面制備了Si納米線陣列。隨后采用SILAR方法在制備出的Si納米線陣列表面生長了一層連續(xù)致密的Cd S薄膜。在Ar氣環(huán)境下在進樣室腔體內(nèi)對樣品進了不同溫度的退火處理,運用DX-2000的X射線衍射儀(X-ray diffractometer,XRD)對制備的薄膜進行晶相結(jié)構(gòu)分析,并用型號為UV-3600的紫外-可見-紅外分光光度計對樣品的反射光譜進行了測試,利用型號為Zeiss Super40的場發(fā)射掃描電鏡表征了薄膜表面形貌并同時對其進行了EDS分析。此外,Cd S/Si納米異質(zhì)結(jié)的室溫光致發(fā)光(PL)譜進行了系統(tǒng)測量與分析。通過制作雙面電極,制備了結(jié)構(gòu)為Ag/Cd S/Si納米線/Si基底/Al的異質(zhì)結(jié)太陽電池的原型器件,進一步對其光伏性能進行了測試與分析。研究結(jié)果表明:由SILAR方法制備的Cd S薄膜結(jié)構(gòu)為亞穩(wěn)態(tài)的立方晶相,當退火溫度達到500℃時,Cd S薄膜呈現(xiàn)出相對穩(wěn)定的六方晶向,經(jīng)過退火處理后Cd S晶粒的尺寸變大,但仍是納米級。同時通過改變不同循環(huán)次數(shù)也會對Cd S薄膜晶體結(jié)構(gòu)進行一定調(diào)控,進而影響其性能。隨著循環(huán)次數(shù)的增加...

【文章頁數(shù)】：59 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 納米結(jié)構(gòu)太陽能電池
        1.1.1 納米結(jié)構(gòu)的光伏性能
        1.1.2 納米薄膜太陽能電池
        1.1.3 納米線與納米管太陽能電池
        1.1.4 納米型染料敏化太陽能電池
        1.1.5 量子點敏化型太陽能電池
    1.2 Si基型太陽能電池概述
    1.3 Si基太陽能電池中陷光結(jié)構(gòu)的研究
    1.4 課題選題思想和內(nèi)容
第二章 CdS/Si納米異質(zhì)結(jié)陣列制備與表征
    2.1 硅納米線的制備
    2.2 CdS薄膜簡介
    2.3 CdS薄膜制備方法
    2.4 SILAR法薄膜的生長原理
    2.5 SILAR法制備CdS/Si納米異質(zhì)結(jié)
    2.6 CdS/Si異質(zhì)結(jié)的SEM表征
    2.7 CdS/Si異質(zhì)結(jié)的XRD表征
第三章 CdS/Si納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)陣列的光學特性研究
    3.1 引言
    3.2 CdS/Si納米異質(zhì)結(jié)的光吸收性能
        3.2.1 不同循環(huán)次數(shù)光吸收性能
        3.2.2 帶隙值計算
        3.2.3 不同退火溫度光吸收性能
    3.3 CdS/Si納米異質(zhì)結(jié)的光致發(fā)光
第四章 CdS/Si納米異質(zhì)結(jié)的光電性能研究
    4.1 電極制備
    4.2 CdS/Si納米異質(zhì)結(jié)的電學特性
        4.2.1 不同循環(huán)次數(shù)對I-V性能影響
        4.2.2 退火對電學性能的影響
    4.3 CdS/Si納米異質(zhì)結(jié)納米異質(zhì)結(jié)的光伏特性
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
參考文獻
致謝
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本文編號：3889242