許多科研工作開始聚焦于利用電子自旋屬性來實(shí)現(xiàn)信息的讀寫和開關(guān)控制,并嘗試設(shè)計開發(fā)出更新型的器件。通過外部手段來控制材料磁特性是非常需要的研究課題�；陔娍卮判阅艿难芯恳呀�(jīng)開展并獲取了一定的成功。著力于電流調(diào)控材料或器件磁性的研究已經(jīng)取得了顯著的進(jìn)展。如果利用電場取代電流來調(diào)控磁性,可以顯著降低能耗。電場調(diào)控反鐵磁性或亞鐵磁性材料磁性能的研究也已經(jīng)取得了一定的成果。具有代表性的鐵元素的氧化物中的α-Fe2O3和γ-Fe2O3是反鐵磁性或亞鐵磁性的不導(dǎo)電材料。它們的用途非常廣泛,對電場調(diào)控它們的磁性能的研究是非常必要的。界面科學(xué)為研究氧化鐵的性能和潛在用途提供了更多的機(jī)會。本論文實(shí)驗(yàn)利用PLD技術(shù)在單晶襯底上沉積了不同結(jié)構(gòu)的氧化鐵薄膜并進(jìn)行了研究。由于γ-Fe2O3薄膜在自旋電子學(xué)和信息存儲方面的潛在應(yīng)用,近來倍受關(guān)注,尤其是γ-Fe2O3/MgO薄膜。本論文在MgO(001)單晶襯底上沉積了不同厚度的γ-Fe2O3薄膜。結(jié)果發(fā)現(xiàn),γ-Fe2O3/MgO(001)薄膜的室溫飽和磁化強(qiáng)度隨著膜厚的增大而減小。這一現(xiàn)象可能與以下兩點(diǎn)有關(guān)。第一是在較高的襯底溫度和較高的氧壓條件下,隨著膜厚的增加...

【文章頁數(shù)】：146 頁

【學(xué)位級別】：博士

圖1.2-1Fe0晶體結(jié)構(gòu)示意圖

圖1?-2a-FezO，晶體結(jié)構(gòu)示意圖

圖1.2-3FesOa晶體結(jié)構(gòu)示意圖

圖1.2-4y-FezOs晶體結(jié)構(gòu)示意圖

本文編號：3886876