近年來,透明導電薄膜在光電器件中得到廣泛的應用,是觸控顯示、有機發(fā)光二極管(OLED)、薄膜太陽能電池等器件的重要組成部分。目前氧化銦錫(ITO)作為透明電極在平板顯示以及各種電子設備應用中處于壟斷地位,但其本身存在陶瓷脆性、彎折易受損、反應溫度高及易泛黃等缺點,嚴重阻礙了電子器件向小型化和柔性方向發(fā)展,因此迫切需要一種新的導電材料能夠代替ITO,從而應用到柔性設備中。而基于銀納米線(Ag nanowires,AgNWs)的透明導電膜憑借良好的透光度、高導電性、低成本以及柔性可彎折等優(yōu)點,有望成為ITO導電薄膜最具潛力的替代品。短短幾年內,基于AgNWs透明導電膜的制備工藝和器件結構不斷得到優(yōu)化,并吸引越來越多研究者的關注。AgNWs的長徑比及其分散液的粘度直接影響透明導電膜的光學和電學性能。對于高長徑比的AgNWs,只需較少數量即可搭建出高導電性的AgNWs網絡。這樣可有效降低使用高長徑比AgNWs制得的導電膜的散射,也可大幅提升其透過性。其次,分散液是影響AgNWs導電膜性能的另一個不可忽視的因素,其分散性和粘度直接影響著薄膜的均勻性及薄膜與基底的粘附性,因此獲得高性能的分散液是制...

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圖1三種常用成分NaCl、FeCl3和KBr對反應產物的尺寸影響示意圖[16]

圖2(a)合成的AgNWs(直徑為13nm)的TEM圖[18];(b)在高溫和低溫下生長的AgNWs的橫截面示意圖[18]。透明導電薄膜的光電性能:(c)基于13nm的AgNWs的透明導電膜的透射率(實曲線)和散射(虛線)光譜[18];(d)不同平均直徑的AgNWs制成的電極的透射率與薄層電阻的關系曲線[18](電子版為彩圖)

圖3連續(xù)多步生長法示意圖[22]

圖4合成具有不同長度和直徑的銀納米線的反應條件[65]

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