介質(zhì)/金屬/介質(zhì)多層薄膜(D/M/D),既具有較好的光學(xué)性能和電學(xué)性能,又能保證制備過程及工藝的簡(jiǎn)單與環(huán)保,因此可以作為新型透明導(dǎo)電電極,替代目前雖被廣泛應(yīng)用但具有一定毒性且成本較高的ITO膜。但在實(shí)際應(yīng)用中,還需要進(jìn)一步改善介質(zhì)/金屬/介質(zhì)多層復(fù)合膜的光透過率和導(dǎo)電性能,才能使其得到廣泛應(yīng)用。本文先制備TiO2/Ag/TiO2復(fù)合薄膜,再采用氬等離子體輻照的方式,來提高TiO2/Ag/TiO2復(fù)合膜系的光電性能。圍繞該主題,本文主要開展以下工作：首先,本文采用真空蒸發(fā)鍍的方法制備納米Ag薄膜,再使用氨等離子體輻照Ag膜。之后測(cè)試氬等離子體輻照對(duì)薄膜表面形貌、可見光波段吸收譜及薄層電阻的影響。結(jié)果表明氬等離子體輻照可以明顯提高納米Ag薄膜的導(dǎo)電性,甚至使原來不導(dǎo)電的納米Ag薄膜具有導(dǎo)電性。同時(shí),氬等離子輻照還可以在一定程度上提高Ag膜的光透過率。氬等離子體輻照提高Ag膜的光電性能之后,Ag膜更適合作為TiO2/Ag/TiO2復(fù)合薄膜的中間膜層。然后,利用真空蒸發(fā)鍍膜沉積TiO2/Ag/TiO2復(fù)合薄膜,通過控制Ag和Ti02的膜層厚度制備出具有高導(dǎo)電性和高透過率的透明導(dǎo)電薄膜。并使用氬...

【文章頁數(shù)】：63 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
致謝
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 研究背景
    1.2 D/M/D膜系研究材料的選擇
    1.3 D/M/D膜系常用的制備手段
    1.4 D/M/D膜系最新研究進(jìn)展
    1.5 研究意義及內(nèi)容
        1.5.1 研究意義
        1.5.2 研究?jī)?nèi)容
第二章 薄膜制備方法及表征
    2.1 復(fù)合膜的制備方法
    2.2 實(shí)驗(yàn)所需材料及裝置
        2.2.1 實(shí)驗(yàn)材料
        2.2.2 實(shí)驗(yàn)儀器及裝置
    2.3 薄膜制備及處理流程
        2.3.1 襯底的清洗
        2.3.2 沉積薄膜
        2.3.3 氬等離子體輻照處理
    2.4 薄膜的表征
        2.4.1 薄膜光吸收值和透過率的表征
        2.4.2 薄膜薄層電阻的表征
        2.4.3 薄膜表面形貌的表征
第三章 氬等離子體輻照提高納米銀薄膜光電性能
    3.1 引言
    3.2 氬等離子體輻照對(duì)納米Ag薄膜表面形貌的影響
    3.3 氬等離子體輻照對(duì)納米Ag薄膜光學(xué)性能的影響
    3.4 氬等離子體輻照對(duì)納米Ag薄膜電學(xué)性能的影響
    3.5 本章小結(jié)
第四章 氬等離子體輻照提高TiO₂/Ag/TiO₂復(fù)合膜光電性能
    4.1 引言
    4.2 不同TiO₂膜厚的復(fù)合膜光電性能改善
        4.2.1 氬等離子體輻照處理對(duì)TiO₂/Ag/TiO₂復(fù)合膜光透過率的影響
        4.2.2 氬等離子體輻照處理對(duì)TiO₂/Ag/TiO₂復(fù)合膜導(dǎo)電性的影響
        4.2.3 綜合分析氬等離子體輻照處理對(duì)TiO₂/Ag/TiO₂光電性能的影響
    4.3 不同Ag膜膜厚的復(fù)合膜光電性能改善
        4.3.1 氬等離子體輻照處理對(duì)TiO₂/Ag/TiO₂復(fù)合膜光透過率的影響
        4.3.2 氬等離子體輻照處理對(duì)TiO₂/Ag/TiO₂復(fù)合膜導(dǎo)電性的影響
        4.3.3 綜合分析氬等離子體輻照處理對(duì)TiO₂/Ag/TiO₂光電性能的影響
        4.3.4 SEM分析復(fù)合膜光電性能提高的機(jī)理
    4.4 本章小結(jié)
第五章 結(jié)論與展望
    5.1 結(jié)論
    5.2 展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士期間的學(xué)術(shù)活動(dòng)及成果情況



本文編號(hào)：3828280