隨著高分辨率液晶(LCD)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)、電子紙(E-paper)等的新型顯示技術(shù)的快速發(fā)展,這些顯示產(chǎn)品對(duì)驅(qū)動(dòng)背板的技術(shù)要求也越來越高。薄膜晶體管(TFT)是驅(qū)動(dòng)各類顯示器件發(fā)光的核心器件,其性能高低決定了顯示器件的顯示效果。當(dāng)前廣泛應(yīng)用的TFT為非晶硅TFT,但傳統(tǒng)非晶硅TFT因其遷移率較低和閾值電壓漂移嚴(yán)重,難以應(yīng)用于高分辨率顯示以及OLED顯示中;雖然多晶硅TFT具備良好的遷移率和穩(wěn)定性,但其由于晶界的存在導(dǎo)致均勻性較差,限制了多晶硅TFT在高分辨大尺寸顯示的應(yīng)用。而非晶氧化物TFT同時(shí)具備良好的均勻性和遷移率較高的特點(diǎn),并且透明度高和穩(wěn)定性較好,能實(shí)現(xiàn)低溫制程,正在廣泛應(yīng)用于新型顯示產(chǎn)品。此外,為了開發(fā)性能更優(yōu)的柔性顯示和透明顯示產(chǎn)品,可替代ITO的柔性透明導(dǎo)電電極是關(guān)鍵一環(huán)。本文首先研究背溝道刻蝕(BCE)結(jié)構(gòu)的氧化物TFT工藝。BCE結(jié)構(gòu)是氧化物TFT大規(guī)模量產(chǎn)的低成本工藝,因?yàn)锽CE工藝不僅結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,還可以實(shí)現(xiàn)小型精細(xì)化器件。但由于氧化物TFT的氧化物有源層對(duì)刻蝕液以及Plasma工藝敏感,因此在制備源/漏(S/D)電極時(shí),氧...

【文章頁數(shù)】：84 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 信息顯示技術(shù)
    1.2 新型顯示技術(shù)
        1.2.1 薄膜晶體管
        1.2.2 透明導(dǎo)電薄膜
    1.3 摻雜氧化鋅體系的研究進(jìn)展
        1.3.1 氧化鋅的基本性質(zhì)
        1.3.2 鎂摻雜氧化鋅
        1.3.3 錫摻雜氧化鋅
        1.3.4 其它摻雜體系氧化鋅
    1.4 我們的工作內(nèi)容和意義
第二章 實(shí)驗(yàn)設(shè)備、原理、器件制備以及性能表征
    2.1 引言
    2.2 薄膜制備
        2.2.1 物理氣相沉積
        2.2.2 化學(xué)氣相沉積
        2.2.3 原子層沉積
        2.2.4 溶液加工法
    2.3 表征方法
        2.3.1 薄膜厚度
        2.3.2 薄膜表面形貌及成分分析
        2.3.3 薄膜光學(xué)及電學(xué)性能
        2.3.4 穩(wěn)定性
        2.3.5 薄膜晶體管性能表征
第三章 溶液法ZTO在背溝道刻蝕薄膜晶體管的應(yīng)用
    3.1 引言
    3.2 薄膜及器件制備
        3.2.1 ZTO薄膜制備
        3.2.2 BCE結(jié)構(gòu)MOTFT的制備
    3.3 不同比例錫摻雜對(duì)薄膜晶體管的影響
        3.3.1 TFT器件基本性能
        3.3.2 不同比例ZTO薄膜表征
        3.3.3 Mo/ZTO/a-IZO的接觸電阻
        3.3.4 背溝道結(jié)構(gòu)a-IZO TFT的穩(wěn)定性
    3.4 不同固化溫度對(duì)薄膜晶體管性能影響
        3.4.1 短溝道效應(yīng)
        3.4.2 不同固化溫度下偏壓穩(wěn)定性的分析
        3.4.3 ZTO薄膜分析
    3.5 ZTO薄膜抗刻蝕機(jī)理分析
    3.6 ZTO薄膜在不同有源層體系下的應(yīng)用
    3.7 ZTO對(duì)薄膜晶體管穩(wěn)定性影響的機(jī)理分析
    3.8 鈍化層沉積對(duì)薄膜晶體管影響
    3.9 背溝道刻蝕薄膜晶體管在AMOLED的應(yīng)用
        3.9.1 AMOLED基本結(jié)構(gòu)
        3.9.2 驅(qū)動(dòng)背板工藝路線
        3.9.3 MOTFT版圖設(shè)計(jì)
        3.9.4 AMOLED單色顯示屏
    3.10 本章小結(jié)
第四章 摻雜氧化鋅與銀納米線復(fù)合柔性透明導(dǎo)電薄膜
    4.1 柔性透明導(dǎo)電薄膜的簡(jiǎn)介
    4.2 摻雜氧化鋅與銀納米線復(fù)合透明導(dǎo)電薄膜的制備
        4.2.1 銀納米線透明導(dǎo)電薄膜的制備
        4.2.2 摻雜氧化鋅薄膜的制備
    4.3 銀納米線透明導(dǎo)電薄膜基本性能
    4.4 鋁摻雜氧化鋅對(duì)復(fù)合透明導(dǎo)電薄膜的影響
    4.5 鎂摻雜氧化鋅對(duì)復(fù)合透明導(dǎo)電薄膜的影響
        4.5.1 AgNW/ZMO薄膜的光學(xué)特性和電學(xué)特性
        4.5.2 AgNW/ZMO薄膜的耐溫性能
        4.5.3 AgNW/ZMO薄膜的穩(wěn)定性
        4.5.4 AgNW/ZMO薄膜的彎折性能
        4.5.5 AgNW/ZMO的性能分析
    4.6 透明導(dǎo)電薄膜在OLED器件的應(yīng)用
    4.7 溶液法ZTO圖形化銀納米線透明導(dǎo)電薄膜
    4.8 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的研究成果
致謝
附件



本文編號(hào)：3755631