摻雜氧化鋅薄膜在新型顯示的應用研究
發(fā)布時間:2023-03-05 03:42
隨著高分辨率液晶(LCD)、有機發(fā)光二極管(OLED)、量子點發(fā)光二極管(QLED)、電子紙(E-paper)等的新型顯示技術的快速發(fā)展,這些顯示產品對驅動背板的技術要求也越來越高。薄膜晶體管(TFT)是驅動各類顯示器件發(fā)光的核心器件,其性能高低決定了顯示器件的顯示效果。當前廣泛應用的TFT為非晶硅TFT,但傳統(tǒng)非晶硅TFT因其遷移率較低和閾值電壓漂移嚴重,難以應用于高分辨率顯示以及OLED顯示中;雖然多晶硅TFT具備良好的遷移率和穩(wěn)定性,但其由于晶界的存在導致均勻性較差,限制了多晶硅TFT在高分辨大尺寸顯示的應用。而非晶氧化物TFT同時具備良好的均勻性和遷移率較高的特點,并且透明度高和穩(wěn)定性較好,能實現(xiàn)低溫制程,正在廣泛應用于新型顯示產品。此外,為了開發(fā)性能更優(yōu)的柔性顯示和透明顯示產品,可替代ITO的柔性透明導電電極是關鍵一環(huán)。本文首先研究背溝道刻蝕(BCE)結構的氧化物TFT工藝。BCE結構是氧化物TFT大規(guī)模量產的低成本工藝,因為BCE工藝不僅結構簡單,還可以實現(xiàn)小型精細化器件。但由于氧化物TFT的氧化物有源層對刻蝕液以及Plasma工藝敏感,因此在制備源/漏(S/D)電極時,氧...
【文章頁數(shù)】:84 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 信息顯示技術
1.2 新型顯示技術
1.2.1 薄膜晶體管
1.2.2 透明導電薄膜
1.3 摻雜氧化鋅體系的研究進展
1.3.1 氧化鋅的基本性質
1.3.2 鎂摻雜氧化鋅
1.3.3 錫摻雜氧化鋅
1.3.4 其它摻雜體系氧化鋅
1.4 我們的工作內容和意義
第二章 實驗設備、原理、器件制備以及性能表征
2.1 引言
2.2 薄膜制備
2.2.1 物理氣相沉積
2.2.2 化學氣相沉積
2.2.3 原子層沉積
2.2.4 溶液加工法
2.3 表征方法
2.3.1 薄膜厚度
2.3.2 薄膜表面形貌及成分分析
2.3.3 薄膜光學及電學性能
2.3.4 穩(wěn)定性
2.3.5 薄膜晶體管性能表征
第三章 溶液法ZTO在背溝道刻蝕薄膜晶體管的應用
3.1 引言
3.2 薄膜及器件制備
3.2.1 ZTO薄膜制備
3.2.2 BCE結構MOTFT的制備
3.3 不同比例錫摻雜對薄膜晶體管的影響
3.3.1 TFT器件基本性能
3.3.2 不同比例ZTO薄膜表征
3.3.3 Mo/ZTO/a-IZO的接觸電阻
3.3.4 背溝道結構a-IZO TFT的穩(wěn)定性
3.4 不同固化溫度對薄膜晶體管性能影響
3.4.1 短溝道效應
3.4.2 不同固化溫度下偏壓穩(wěn)定性的分析
3.4.3 ZTO薄膜分析
3.5 ZTO薄膜抗刻蝕機理分析
3.6 ZTO薄膜在不同有源層體系下的應用
3.7 ZTO對薄膜晶體管穩(wěn)定性影響的機理分析
3.8 鈍化層沉積對薄膜晶體管影響
3.9 背溝道刻蝕薄膜晶體管在AMOLED的應用
3.9.1 AMOLED基本結構
3.9.2 驅動背板工藝路線
3.9.3 MOTFT版圖設計
3.9.4 AMOLED單色顯示屏
3.10 本章小結
第四章 摻雜氧化鋅與銀納米線復合柔性透明導電薄膜
4.1 柔性透明導電薄膜的簡介
4.2 摻雜氧化鋅與銀納米線復合透明導電薄膜的制備
4.2.1 銀納米線透明導電薄膜的制備
4.2.2 摻雜氧化鋅薄膜的制備
4.3 銀納米線透明導電薄膜基本性能
4.4 鋁摻雜氧化鋅對復合透明導電薄膜的影響
4.5 鎂摻雜氧化鋅對復合透明導電薄膜的影響
4.5.1 AgNW/ZMO薄膜的光學特性和電學特性
4.5.2 AgNW/ZMO薄膜的耐溫性能
4.5.3 AgNW/ZMO薄膜的穩(wěn)定性
4.5.4 AgNW/ZMO薄膜的彎折性能
4.5.5 AgNW/ZMO的性能分析
4.6 透明導電薄膜在OLED器件的應用
4.7 溶液法ZTO圖形化銀納米線透明導電薄膜
4.8 本章小結
結論
參考文獻
攻讀碩士學位期間取得的研究成果
致謝
附件
本文編號:3755631
【文章頁數(shù)】:84 頁
【學位級別】:碩士
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摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 信息顯示技術
1.2 新型顯示技術
1.2.1 薄膜晶體管
1.2.2 透明導電薄膜
1.3 摻雜氧化鋅體系的研究進展
1.3.1 氧化鋅的基本性質
1.3.2 鎂摻雜氧化鋅
1.3.3 錫摻雜氧化鋅
1.3.4 其它摻雜體系氧化鋅
1.4 我們的工作內容和意義
第二章 實驗設備、原理、器件制備以及性能表征
2.1 引言
2.2 薄膜制備
2.2.1 物理氣相沉積
2.2.2 化學氣相沉積
2.2.3 原子層沉積
2.2.4 溶液加工法
2.3 表征方法
2.3.1 薄膜厚度
2.3.2 薄膜表面形貌及成分分析
2.3.3 薄膜光學及電學性能
2.3.4 穩(wěn)定性
2.3.5 薄膜晶體管性能表征
第三章 溶液法ZTO在背溝道刻蝕薄膜晶體管的應用
3.1 引言
3.2 薄膜及器件制備
3.2.1 ZTO薄膜制備
3.2.2 BCE結構MOTFT的制備
3.3 不同比例錫摻雜對薄膜晶體管的影響
3.3.1 TFT器件基本性能
3.3.2 不同比例ZTO薄膜表征
3.3.3 Mo/ZTO/a-IZO的接觸電阻
3.3.4 背溝道結構a-IZO TFT的穩(wěn)定性
3.4 不同固化溫度對薄膜晶體管性能影響
3.4.1 短溝道效應
3.4.2 不同固化溫度下偏壓穩(wěn)定性的分析
3.4.3 ZTO薄膜分析
3.5 ZTO薄膜抗刻蝕機理分析
3.6 ZTO薄膜在不同有源層體系下的應用
3.7 ZTO對薄膜晶體管穩(wěn)定性影響的機理分析
3.8 鈍化層沉積對薄膜晶體管影響
3.9 背溝道刻蝕薄膜晶體管在AMOLED的應用
3.9.1 AMOLED基本結構
3.9.2 驅動背板工藝路線
3.9.3 MOTFT版圖設計
3.9.4 AMOLED單色顯示屏
3.10 本章小結
第四章 摻雜氧化鋅與銀納米線復合柔性透明導電薄膜
4.1 柔性透明導電薄膜的簡介
4.2 摻雜氧化鋅與銀納米線復合透明導電薄膜的制備
4.2.1 銀納米線透明導電薄膜的制備
4.2.2 摻雜氧化鋅薄膜的制備
4.3 銀納米線透明導電薄膜基本性能
4.4 鋁摻雜氧化鋅對復合透明導電薄膜的影響
4.5 鎂摻雜氧化鋅對復合透明導電薄膜的影響
4.5.1 AgNW/ZMO薄膜的光學特性和電學特性
4.5.2 AgNW/ZMO薄膜的耐溫性能
4.5.3 AgNW/ZMO薄膜的穩(wěn)定性
4.5.4 AgNW/ZMO薄膜的彎折性能
4.5.5 AgNW/ZMO的性能分析
4.6 透明導電薄膜在OLED器件的應用
4.7 溶液法ZTO圖形化銀納米線透明導電薄膜
4.8 本章小結
結論
參考文獻
攻讀碩士學位期間取得的研究成果
致謝
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本文編號:3755631
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