現(xiàn)代電子技術(shù)的發(fā)展，對(duì)嵌入式電容器提出了更高的要求。介電常數(shù)高、介電損耗低、加工性能良好的介電材料是制備高性能嵌入式電容器的核心。傳統(tǒng)的鐵電陶瓷/聚合物基復(fù)合材料由于填料含量過高而導(dǎo)致機(jī)械性能差，嚴(yán)重影響了其在嵌入式電容器制備方面的應(yīng)用。所以，開發(fā)一種兼具優(yōu)異介電性能和機(jī)械性能的聚合物基介電功能復(fù)合材料成為了工程電介質(zhì)材料領(lǐng)域亟待解決的關(guān)鍵問題之一。 本論文首先采用乙二醇還原法，通過控制反應(yīng)條件分別制備了一維棒狀納米Ag和三維立方體狀納米Ag，采用SEM、XRD及TEM對(duì)不同維度納米Ag粒子進(jìn)行了表征和分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，制得的一維棒狀納米Ag粒徑均勻，其截面為五邊形，平均長度大于8μm，平均直徑約270nm，長徑比大于30；三維立方體狀納米Ag平均粒徑約為310nm。生長動(dòng)力學(xué)分析表明，一維棒狀納米Ag由正十面體Ag晶種生長得到，而立方體狀納米Ag由Ag單晶晶種生長得到。 在此基礎(chǔ)上，采用原位聚合法將不同形貌的納米Ag顆粒添加到聚酰胺酸(PAA)中，經(jīng)熱亞胺化制備出一系列質(zhì)量分?jǐn)?shù)不同的納米Ag/PI復(fù)合薄膜。對(duì)Ag/PI復(fù)合薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能、熱性能及電性能進(jìn)行了分析和表征。實(shí)...

【文章頁數(shù)】：60 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 課題研究背景
    1.2 納米銀簡介
        1.2.1 納米銀的制備方法
        1.2.2 納米銀的應(yīng)用
    1.3 聚酰亞胺簡介
        1.3.1 聚酰亞胺的合成方法
        1.3.2 聚酰亞胺的性能
        1.3.3 聚酰亞胺的應(yīng)用
    1.4 金屬/聚酰亞胺復(fù)合薄膜
        1.4.1 金屬/聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法
        1.4.2 金屬/聚酰亞胺復(fù)合薄膜的性能
    1.5 課題來源及研究內(nèi)容
        1.5.1 課題來源
        1.5.2 研究內(nèi)容
第2章 實(shí)驗(yàn)部分
    2.1 實(shí)驗(yàn)原料及設(shè)備
        2.1.1 試驗(yàn)原料
        2.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備
    2.2 納米 Ag 的制備
        2.2.1 一維棒狀納米 Ag 的制備
        2.2.2 三維立方體狀納米 Ag 的制備
    2.3 納米 Ag/PI 復(fù)合薄膜的制備
        2.3.1 納米 Ag/PAA 復(fù)合膠液的制備
        2.3.2 納米 Ag/PI 復(fù)合薄膜的制備
    2.4 性能表征和測試方法
        2.4.1 掃描電子顯微鏡（SEM）測試
        2.4.2 透射電子顯微鏡（TEM）測試
        2.4.3 X 射線衍射（XRD）測試
        2.4.4 力學(xué)性能測試
        2.4.5 熱失重（TGA）性能測試
        2.4.6 電學(xué)性能測試
    2.5 本章小結(jié)
第3章 不同形貌納米 Ag 的表征與分析
    3.1 一維棒狀納米 Ag 的表征與分析
        3.1.1 掃描電子顯微鏡分析
        3.1.2 X 射線衍射及透射電子顯微鏡分析
    3.2 三維立方體狀納米 Ag 的表征與分析
        3.2.1 掃描電子顯微鏡分析
        3.2.2 X 射線衍射及透射電子顯微鏡分析
    3.3 本章小結(jié)
第4章 一維棒狀納米 Ag/PI 復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)表征與性能分析
    4.1 掃描電子顯微鏡分析
    4.2 X 射線衍射分析
    4.3 力學(xué)性能分析
    4.4 熱性能分析
    4.5 電學(xué)性能分析
        4.5.1 電擊穿場強(qiáng)及體積電阻率分析
        4.5.2 電導(dǎo)率分析
        4.5.3 介電性能分析
    4.6 本章小結(jié)
第5章 三維立方體狀納米 Ag/PI 復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)表征與性能分析
    5.1 掃描電子顯微鏡分析
    5.2 X 射線衍射分析
    5.3 力學(xué)性能分析
    5.4 熱性能分析
    5.5 電學(xué)性能分析
        5.5.1 電擊穿場強(qiáng)及體積電阻率分析
        5.5.2 電導(dǎo)率分析
        5.5.3 介電性能分析
    5.6 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文
致謝



本文編號(hào)：3742505