原位生長SiC納米纖維及其對C/C-ZrC復(fù)合材料耐燒蝕性能的影響
發(fā)布時間:2023-02-07 16:38
采用化學(xué)氣相反應(yīng)法在C/C復(fù)合材料上原位生長SiC納米纖維,然后通過高溫熔滲反應(yīng)制備C/C-SiC-ZrC復(fù)合材料。通過XRD、SEM、等離子體燒蝕設(shè)備分別對其結(jié)構(gòu)、形貌和耐燒蝕性能等進(jìn)行分析研究。結(jié)果表明:C/C復(fù)合材料表面生長的SiC納米纖維直徑介于100 nm與1μm之間,最佳反應(yīng)溫度在1 500℃左右。等離子體槍燒蝕30 s后,C/C-ZrC復(fù)合材料的質(zhì)量燒蝕率和線燒蝕率分別為-0.32 mg/s和2.57μm/s;而C/C-SiC-ZrC復(fù)合材料的質(zhì)量燒蝕率和線燒蝕率分別為-0.24 mg/s和1.66μm/s,生長了SiC納米纖維的C/C-ZrC復(fù)合材料展示了更優(yōu)異的耐燒蝕性能。
【文章頁數(shù)】:4 頁
【文章目錄】:
1 實驗
1.1 C/C-SiC-ZrC復(fù)合材料的制備
1.2 性能表征
2 結(jié)果與分析
2.1 X射線多晶衍射(XRD)結(jié)果分析
2.2 不同溫度生長SiC納米纖維微觀形貌
2.3 抗燒蝕性能
3 結(jié)論
本文編號:3737145
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1 實驗
1.1 C/C-SiC-ZrC復(fù)合材料的制備
1.2 性能表征
2 結(jié)果與分析
2.1 X射線多晶衍射(XRD)結(jié)果分析
2.2 不同溫度生長SiC納米纖維微觀形貌
2.3 抗燒蝕性能
3 結(jié)論
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